[发明专利]阵列基板及其制备方法

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

基底；

公共电极层，设于所述基底上；

栅极层，设于所述公共电极层远离所述基底的一侧；

栅极绝缘层，覆盖所述栅极层和所述公共电极层；

有源层，设于所述栅极绝缘层远离所述基底的一侧；以及

源漏极金属层，设于所述有源层远离所述基底的一侧，所述源漏极金属层包括源极和漏极，所述源极和所述漏极之间形成沟道。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极层在所述基底上的正投影位于所述公共电极层在所述基底上的正投影内，所述源漏极金属层在所述基底上的正投影位于所述有源层在所述基底上的正投影内。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：

像素电极，设于所述栅极绝缘层和所述漏极上；以及

第一钝化层，覆盖所述栅极绝缘层、所述像素电极、所述源漏极金属层和所述沟道。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极层包括第一扇出走线，所述源漏极金属层包括第二扇出走线，所述第一扇出走线通过转接线与所述第二扇出走线电连接。

5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述转接线与所述像素电极同层设置，所述转接线设于所述第二扇出走线上，所述转接线通过贯穿所述栅极绝缘层的第一转接孔与所述第一扇出走线接触。

6.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括多个触控电极，多个所述触控电极设于所述第一钝化层远离所述基底的一侧，所述触控电极通过贯穿所述第一钝化层和所述栅极绝缘层的第一过孔与所述公共电极层电连接。

7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述转接线与所述触控电极同层设置，所述转接线通过贯穿所述第一钝化层和所述栅极绝缘层的第二转接孔与所述第一扇出走线接触，所述转接线通过贯穿所述第一钝化层的第三转接孔与所述第二扇出走线接触。

8.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括第二钝化层和第二过孔，所述第二钝化层覆盖所述第一钝化层、所述触控电极和所述转接线，所述第二过孔贯穿所述第二钝化层、所述第一钝化层和所述栅极绝缘层以裸露出部分所述栅极层。

9.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一基底；

形成公共电极层和栅极层，所述公共电极层形成于所述基底上，所述栅极层形成于所述公共电极层远离所述基底的一侧；

形成覆盖所述栅极层和所述公共电极层的栅极绝缘层；

形成有源层和源漏极金属层，所述有源层形成于所述栅极绝缘层远离所述基底的一侧，所述源漏极金属层形成于所述有源层上，所述源漏极金属层包括源极和漏极，所述源极和所述漏极之间形成沟道。

10.根据权利要求9所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述公共电极层和所述栅极层利用同一道光罩制备形成，所述有源层和所述源漏极金属层利用同一道光罩制备形成，所述光罩为半色调掩膜板。