[发明专利]一种在轨标校质谱仪基础参数的方法

说明书

本发明涉及质谱仪基础参数标校技术领域，提供了一种在轨标校质谱仪基础参数的方法，利用硅酸盐矿物在熔融态下可以吸附环境中气体的特点，在真空条件下，将硅酸盐矿物进行加热，得到熔融态硅酸盐矿物；将其置于标准气体的环境中进行吸附，然后迅速冷却得到标准样品，然后将标准样品预装于质谱仪的热控装置中。当质谱仪进入预定轨道后，需要利用质谱仪进行物质测试时，对标准样品进行在轨加热，使吸附的标准气体释放到质谱仪中，实现质谱仪基础参数的标校。由于硅酸盐矿物在加热之前不会释放气体，避免了使用标准气瓶导致的漏气的风险，且无需与气瓶配套的阀门，降低了质谱仪的重量，进而降低了火箭发射成本。

技术领域

本发明涉及质谱仪基础参数标校技术领域，尤其涉及一种在轨标校质谱仪基础参数的方法。

背景技术

质谱仪是深空探测过程中常用的科学分析仪器，在进行科学分析前，需要对质谱仪的质量轴、分辨率、灵敏度等指标进行标校，传统的方法一般采用搭载一个标准气瓶，标准气瓶通过两个阀门与质谱仪连接，从而实现对质谱仪的性能参数进行标校。

上述标校方法存在两个弊端，首先气瓶存在在轨漏气风险，如果气瓶漏气，便无法完成标校；另外，为了增加仪器的可靠性，阀门和气瓶在设计上都比较重，而质谱仪需要火箭送入既定轨道，这无疑增加了火箭发射成本。

因此，亟需提供一种成本低且同样可以实现在轨标校质谱仪基础参数的方法。

发明内容

鉴于此，本发明的目的在于提供一种在轨标校质谱仪基础参数的方法，本发明提供的标校方法无需搭载标准气瓶以及与之配套的阀门，避免了气瓶存在在轨漏气风险，同时降低了在轨标校质谱仪的重量，从而降低了火箭发射成本。

为了实现上述发明目的，本发明提供了以下技术方案：

本发明提供了一种在轨标校质谱仪基础参数的方法，包括以下步骤：

(1)在真空条件下，将硅酸盐矿物进行加热，得到熔融态硅酸盐矿物；

(2)将所述步骤(1)得到的熔融态硅酸盐矿物置于标准气体的环境中进行吸附，然后迅速冷却得到标准样品；

所述步骤(2)中迅速冷却的速率为50～200℃/min；

(3)将所述步骤(2)得到的标准样品预装于质谱仪的热控装置中，进行在轨加热，使吸附的标准气体释放到质谱仪中，对质谱仪的基础参数进行在轨标校。

优选地，所述步骤(1)中硅酸盐矿物包括辉石和/或铁橄榄石。

优选地，所述硅酸盐矿物为铁橄榄石。

优选地，所述步骤(1)中硅酸盐矿物的粒度不小于50目。

优选地，所述步骤(1)中加热在真空条件下进行。

优选地，所述真空的真空度为0.00001Pa以下。

优选地，所述步骤(2)中标准气体为稀有气体。

优选地，所述稀有气体为氦气和氙气。

优选地，所述步骤(3)中在轨加热的温度为不小于600℃。

优选地，所述步骤(3)中在轨加热的时间为不小于10min。

优选地，所述步骤(3)中的基础参数包括质量轴、分辨率和灵敏度。