[发明专利]自适应的衬底切换电路结构及电池保护芯片有效
| 申请号： | 202110766738.9 | 申请日： | 2021-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN113644705B | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | 尹喜珍;陈昊 | 申请（专利权）人： | 上海芯跳科技有限公司 |
| 主分类号： | H02J7/00 | 分类号： | H02J7/00;H02H7/18 |
| 代理公司： | 上海段和段律师事务所 31334 | 代理人： | 郭国中;李佳俊 |
| 地址： | 201100 上海市闵*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 自适应 衬底 切换 电路 结构 电池 保护 芯片 | ||
1.一种自适应的衬底切换电路结构，其特征在于，包括第一MOS管Q1、第二MOS管Q2、第三MOS管Q3及第四MOS管Q4；
所述第一MOS管Q1的栅极作为GP引脚，所述第一MOS管Q1的漏极分别连接所述第三MOS管Q3的源极和所述第四MOS管Q4的栅极，所述第一MOS管Q1的源极分别连接所述第四MOS管Q4的源极和所述第三MOS管Q3的栅极，所述第一MOS管Q1的衬底连接所述第二MOS管Q2的漏极；
所述第二MOS管Q2的栅极作为GB引脚，所述第二MOS管Q2的源极分别连接所述第二MOS管Q2的衬底、所述第三MOS管Q3的衬底、所述第三MOS管Q3的漏极、所述第四MOS管Q4的漏极以及所述第四MOS管Q4的衬底。
2.根据权利要求1所述的自适应的衬底切换电路结构，其特征在于，所述第一MOS管Q1为N沟增强型MOS管NMO。
3.根据权利要求2所述的自适应的衬底切换电路结构，其特征在于，所述NMO为深N阱器件或者隔离型器件。
4.根据权利要求1所述的自适应的衬底切换电路结构，其特征在于，所述第二MOS管Q2为N沟增强型MOS管NM1。
5.根据权利要求4所述的自适应的衬底切换电路结构，其特征在于，所述NM1为深N阱器件或者隔离型器件。
6.根据权利要求1所述的自适应的衬底切换电路结构，其特征在于，所述第三MOS管Q3为P沟增强型MOS管PMO。
7.根据权利要求1所述的自适应的衬底切换电路结构，其特征在于，所述第四MOS管Q4为P沟增强型MOS管PM1。
8.根据权利要求1所述的自适应的衬底切换电路结构，其特征在于，所述第二MOS管Q2的宽长比、所述第三MOS管Q3的宽长比及所述第四MOS管Q4的宽长比均为所述第一MOS管Q1的1/20—1/10。
9.根据权利要求8所述的自适应的衬底切换电路结构，其特征在于，所述第二MOS管Q2的宽长比、所述第三MOS管Q3的宽长比及所述第四MOS管Q4的宽长比均为所述第一MOS管Q1的1/15。
10.一种电池保护芯片，其特征在于，包括权利要求1至9任一项所述的自适应的衬底切换电路结构。
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