[发明专利]基于微腔激光的二进制PUF编码方法

权利要求书

1.一种基于微腔激光二进制的PUF编码方法，其特征在于该方法包括下列步骤：

1)采用化学气相沉积方法制备的低密度半导体微腔(1)，所述的低密度半导体微腔(1)的空间面密度为0.04～0.17/μm²；

2)采用飞秒激光(2)对所述的低密度半导体微腔进行激励辐照，使用CCD收集辐照点位发射的光谱信号；

3)当光谱信号中存在线宽1nm，则判定为受激辐射响应(3)；

4)利用所述的飞秒激光(2)对所述的低密度半导体微腔(1)进行扫描，辐照点数大于40个独立点位，统计所述的受激辐射响应(3)判定成功的点位比例，并定义为受激辐射概率，获得泵浦能量密度与受激辐射概率关系(4)；

5)从所述的泵浦能量密度与受激辐射概率关系(4)获得50％受激辐射概率所需的泵浦能量密度，使用该能量密度对50×50阵列点位进行50％受激辐射概率的泵浦激励点阵扫描(5)，并对阵列各点位的受激辐射成功与否进行判定：点阵扫描中所述的受激辐射响应(3)判定成功的点位定义为1，判定失败的点位定义为0；

6)判定完成，点阵二维码(6)制备完成。

2.根据权利要求1所述的基于微腔激光二进制的PUF编码方法，其特征在于：所述低密度半导体微腔(1)采用的材料为CsPbX₃钙钛矿结构，其中X为Cl,Br,I的任意一种或两种卤素混合。

3.根据权利要求1所述的基于微腔激光二进制的PUF编码方法，其特征在于，步骤2)中所述的飞秒激光(2)的光斑直径为5μm、能量密度为10～250μJ/cm²。

4.根据权利要求1所述的基于微腔激光二进制的PUF编码方法，其特征在于，步骤3)中所述的谱线单条谱线或多条谱线。