[发明专利]一种异质结电池及其制备方法

权利要求书

1.一种异质结电池，其特征在于，包括：

半导体衬底层；

本征半导体复合层，所述本征半导体复合层位于所述半导体衬底层的至少一侧表面，所述本征半导体复合层包括：底层本征层；位于所述底层本征层背向所述半导体衬底层一侧表面的宽带隙本征层，所述宽带隙本征层的带隙大于所述底层本征层的带隙；

所述宽带隙本征层包括第一子宽带隙本征层至第N子宽带隙本征层，N为大于等于2的整数；第k子宽带隙本征层位于第k+1子宽带隙本征层和所述半导体衬底层之间；k为大于等于1且小于等于N-1的整数；对于位于所述半导体衬底层的正面一侧的本征半导体复合层，所述本征半导体复合层中的所述第k+1子宽带隙本征层的折射率小于所述第k子宽带隙本征层的折射率。

2.根据权利要求1所述的异质结电池，其特征在于，所述本征半导体复合层仅位于所述半导体衬底层的正面一侧；或者，所述本征半导体复合层位于所述半导体衬底层的两侧表面。

3.根据权利要求2所述的异质结电池，其特征在于，

第n子宽带隙本征层的材料包括掺氧非晶硅、掺碳非晶硅、掺氧纳米晶硅或者掺碳纳米晶硅；n为大于等于1且小于等于N的整数。

4.根据权利要求2所述的异质结电池，其特征在于，

所述底层本征层包括：第一子底层本征层；位于所述第一子底层本征层背向所述半导体衬底层一侧表面的第二子底层本征层；所述第二子底层本征层的缺陷态密度小于所述第一子底层本征层的缺陷态密度。

5.根据权利要求4所述的异质结电池，其特征在于，

所述第一子底层本征层的厚度与所述第二子底层本征层的厚度的比值为0.15：1～0.35：1。

6.根据权利要求5所述的异质结电池，其特征在于，

所述第一子底层本征层的厚度为0.3nm～0.8nm，所述第二子底层本征层的厚度为1nm～2.5nm。

7.根据权利要求2所述的异质结电池，其特征在于，

位于所述半导体衬底层单侧的所述本征半导体复合层的总厚度为2nm～10nm。

8.根据权利要求3至7任意一项所述的异质结电池，其特征在于，

N等于2。

9.根据权利要求3至7任意一项所述的异质结电池，其特征在于，

所述第一子宽带隙本征层的材料包括掺氧非晶硅或掺氧纳米晶硅，第二子宽带隙本征层的材料包括掺碳非晶硅或掺碳纳米晶硅，所述第一子宽带隙本征层中的氧与硅的摩尔比为1:1～1:5，所述第二子宽带隙本征层中的碳与硅的摩尔比为1:1～1:5。

10.根据权利要求3至7任意一项所述的异质结电池，其特征在于，

所述第一子宽带隙本征层的带隙为2.0eV～9eV,第二子宽带隙本征层的带隙为2.0eV～9eV。

11.根据权利要求3至7任意一项所述的异质结电池，其特征在于，

所述第一子宽带隙本征层的材料包括掺碳非晶硅或掺碳纳米晶硅，第二子宽带隙本征层的材料包括掺氧非晶硅或掺氧纳米晶硅，所述第一子宽带隙本征层中的碳与硅的摩尔比为1:1～1:5，第二子宽带隙本征层中的氧与硅的摩尔比为1:1～1:5。

12.根据权利要求3至7任意一项所述的异质结电池，其特征在于，

第二子宽带隙本征层的厚度与所述第一子宽带隙本征层的厚度的比值为0.5：1～1.5：1；所述第一子宽带隙本征层的厚度与所述底层本征层的厚度的比值为0.5：1～1.5：1。

13.根据权利要求12所述的异质结电池，其特征在于，

所述第二子宽带隙本征层的厚度为1.5nm～4nm；所述第一子宽带隙本征层的厚度为1.5nm～4nm，所述底层本征层的厚度为1.3nm～3.3nm。