[发明专利]一种异质结太阳能电池的制备方法

权利要求书

1.一种异质结太阳能电池的制备方法，包括形成衬底器件以及在所述衬底器件的表面形成栅线的步骤，其特征在于，形成栅线包括如下步骤：

在所述衬底器件的表面形成图形化的掩膜层，所述掩膜层中具有若干开口，开口用于定义栅线的位置；所述掩膜层包括依次层叠设置的第一子掩膜层至第N子掩膜层，N为大于等于2的整数，其中，第k+1子掩膜层的曝光精度大于第k子掩膜层的曝光精度；k为大于等于1且小于等于N-1的整数；

以所述掩膜层为掩膜，采用蒸镀工艺在所述开口中形成所述栅线；

形成所述栅线之后，采用剥离工艺去除所述掩膜层，所述剥离工艺中，采用的剥离液为二甲基亚砜溶液，二甲基亚砜溶液中溶质的浓度为150mg/cbm~170mg/cbm，二甲基亚砜溶液的质量流量为1kg/h~2kg/h，二甲基亚砜溶液的温度30℃~40℃，浸泡时间为10min~30min。

2.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，在所述衬底器件的表面形成图形化的掩膜层的步骤中，包括：在所述衬底器件的表面依次涂覆第一子光刻胶层至第N子光刻胶层，N为大于等于2的整数；

在对所述第一子光刻胶层至第N子光刻胶层进行曝光的过程中，第k+1子光刻胶层的曝光精度大于第k子光刻胶层的曝光精度；

对所述第一子光刻胶层至第N子光刻胶层进行显影之后，所述掩膜层包括位于所述开口中依次层叠的第一子光刻胶层至第N子光刻胶层；第k+1子光刻胶层在所述衬底器件的表面上的正投影面积大于第k子光刻胶层在所述衬底器件的表面上的正投影面积。

3.根据权利要求2所述的异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，N为大于等于3的整数。

4.根据权利要求3所述的异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，

当N为3时，第一子光刻胶层的厚度为0.5μm-1.0μm，第二子光刻胶层的厚度为0.5μm-1.0μm，第三子光刻胶层的厚度为0.5μm-1.0μm，所述光刻胶层的总厚度为1.5μm-3.0μm。

5.根据权利要求3所述的异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，

第一子光刻胶层的曝光精度-1.5μm~+1.5μm；第二子光刻胶层的曝光精度-1μm~+1μm；第三子光刻胶层的曝光精度-0.5μm~+0.5μm。

6.根据权利要求3所述的异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，

所述栅线的底面宽度为4μm~30μm；所述栅线的高度与所述栅线的底面宽度的比值为0.75~0.85。

7.根据权利要求3所述的异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，

所述栅线在所述衬底器件的表面上的正投影形状为直线型或折线型。

8.根据权利要求3所述的异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，

在所述衬底器件的表面依次涂覆第一子光刻胶层至第N子光刻胶层的步骤中，所述第一子光刻胶层至第N子光刻胶层的材料包括：溶质以及溶剂；所述溶质包括：酚醛树脂、重氮盐和重氮树脂；第k+1子光刻胶层的材料中溶质的浓度大于所述第k子光刻胶层的材料中溶质的浓度。

9.根据权利要求8所述的异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，

当N为3时，所述第一子光刻胶层的材料中溶质的浓度为20%~40%；所述第二子光刻胶层的材料中溶质的浓度为40%~60%；所述第三子光刻胶层的材料中溶质浓度为60%~80%。

10.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，

所述开口的侧壁表面与所述开口的底部表面之间的夹角为锐角；所述栅线的侧壁表面与所述栅线的底面之间的夹角为锐角。