[发明专利]基于低成本金属和透明导电氧化物的复合薄膜电极及其在钙钛矿光电器件中的应用

权利要求书

1.一种复合薄膜电极，包括依次复合的透明导电氧化物层和低成本金属层。

2.根据权利要求1所述的复合薄膜电极，其特征在于：所述透明导电氧化物层的材质为氧化铟锡、掺杂氟的氧化锡、掺钨氧化铟、氧化铟锌、掺杂铝的氧化锌和氧化锌锡中任一种及其组合。

3.根据权利要求1或2所述的复合薄膜电极，其特征在于：所述低成本金属层的材质为铜、铝、镍、锌、锡、铁和银中任一种。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的复合薄膜电极，其特征在于：所述透明导电氧化物层的厚度为0.5nm～500nm；

所述低成本金属层的厚度为0.5～300nm。

5.权利要求1-4中任一项所述复合薄膜电极在正向结构的钙钛矿光电器件中的应用；

所述复合薄膜电极作为所述钙钛矿光电器件的对电极。

6.根据权利要求5所述的应用，其特征在于：所述钙钛矿光电器件包括但不限于钙钛矿太阳能电池。

7.一种正向结构的钙钛矿光电器件，由下至上为依次为透明导电基底、电子传输层、钙钛矿层、空穴传输层和对电极；

所述对电极为权利要求1-4中任一项所述复合薄膜电极。

8.根据权利要求7所述的正式结构钙钛矿光电器件，其特征在于：所述透明导电基底的材质为氧化铟锡、掺杂氟的氧化锡、掺钨氧化铟、氧化铟锌、掺杂铝的氧化锌和氧化锌锡中任一种；

所述电子传输层的材质为有机电子传输材料和/或无机电子传输材料，所述有机电子传输材料为C60、PCBM、BCP、萘四甲酰二亚胺及其衍生物或苝四甲酰二亚胺及其衍生物，所述无机电子传输材料为SnO₂、TiO₂、ZnO或上述氧化物的掺杂材料；

所述钙钛矿层的材质的结构为ABX₃，A表示NH＝CHNH₃、CH₃NH₃或Cs及其混合物，B表示Pb或Sn及其混合物，X表示I、Br或Cl及其混合物；

所述空穴传输层的材质为有机空穴传输材料和/或无机空穴传输材料，所述有机空穴传输材料包括但不限于Spiro-OMeTAD、PTAA和P3HT，所述无机空穴传输材料包括但不限于NiO、Cu₂O和CuSCN。

9.权利要求7或8所述钙钛矿光电器件的制备方法，包括如下步骤：

在所述透明导电基底上依次制备所述电子传输层、所述钙钛矿层、所述空穴传输层和所述对电极。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于：采用真空溅射、真空蒸镀和溶液法中至少一种制备所述对电极；

制备所述对电极前在所述空穴传输层上制备缓冲层。