[发明专利]一种低失调开关电容比较器在审

专利信息
申请号: 202110768505.2 申请日: 2021-07-07
公开(公告)号: CN113452374A 公开(公告)日: 2021-09-28
发明(设计)人: 王新胜;韩良;杨剑儒 申请(专利权)人: 哈尔滨工业大学(威海)
主分类号: H03M3/00 分类号: H03M3/00
代理公司: 威海科星专利事务所 37202 代理人: 孙小栋
地址: 264200*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 一种 失调 开关 电容 比较
【权利要求书】:

1.一种低失调开关电容比较器,其特征在于,包括第一时钟开关、第二时钟开关、第一电容、第一电容、两级放大结构的开环比较单元以及SR锁存器,所述两级放大结构的开环比较单元包括第一级比较单元和第二级比较单元,所述第一级比较单元的反相输出端与第二级比较单元的同相输入端连接,所述第一级比较单元的同相输出端与第二级比较单元的反相输入端连接,所述第二级比较单元的反相输出端、同相输出端与SR锁存器连接;所述第一电容与第一级比较单元的同相输入端连接,所述第二电容与第一级比较单元的反相输入端连接,参考电压的正端通过第一时钟开关与第一电容连接,参考电压的负端通过第一时钟开关与第二电容连接,第一输入信号通过第二时钟开关与第一电容连接,第二输入信号通过第二时钟开关与第二电容连接;所述第一级比较单元的同相输入端和反相输出端通过第一时钟开关连接,所述第一级比较单元的反相输入端和同相输出端通过第一时钟开关连接;所述第二级比较单元的反相输出端通过第一时钟开关接电源,第二级比较单元的同相输出端通过第一时钟开关接电源。

2.根据权利要求1所述的低失调开关电容比较器,其特征在于,所述第一级比较单元包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管,所述第一MOS管的源极与第三MOS管的漏极连接,所述第二MOS管的源极与第三MOS管的漏极连接,所述第三MOS管的源极接地,所述第三MOS管的栅极接偏置电压,所述第一MOS管的漏极与第五MOS管的漏极连接,所述第五MOS管的源极接电源,所述第二MOS管的漏极与第六MOS管的漏极连接,所述第六MOS管源极接电源,所述第五MOS管的栅极与第六MOS管的漏极连接,所述第六MOS管的栅极与第五MOS管的漏极连接,所述第四MOS管的源极接电源,所述第四MOS管的漏极与第五MOS管的漏极连接,所述第四MOS管的栅极和漏极连接在一起;所述第七MOS管的源极接电源,第七MOS管的漏极与第六MOS管的漏极连接,第七MOS管的栅极和漏极连接在一起;所述第一MOS管的栅极和漏极之间通过第一时钟开关连接,所述第二MOS管的栅极和漏极之间通过第一时钟开关连接;所述第一MOS管的栅极与第一电容连接,所述第二MOS管的栅极与第二电容连接;

所述第二级比较单元包括第八MOS管、第九MOS管、第十MOS管、第十一MOS管、第十二MOS管、第十三MOS管、第十四MOS管、第十五MOS管、第十六MOS管、第十七MOS管,所述第八MOS管的源极与第十MOS管的漏极连接,所述第九MOS管的源极与第十MOS管的漏极连接,所述第十MOS管的源极与第十一MOS管的漏极连接,所述第十一MOS管的源极接地,第十一MOS管的栅极接偏置电压,所述第八MOS管的漏极与第十二MOS管的漏极连接,所述第九MOS管的漏极与第十三MOS管的漏极连接,所述第十二MOS管的栅极与第十三MOS管的漏极连接,第十三MOS管的栅极与第十二MOS管的漏极连接,所述第十二MOS管的源极与第十四MOS管的漏极连接,所述第十四MOS管的源极接电源,所述第十三MOS管的源极与第十五MOS管的漏极连接,所述第十五MOS管的源极接电源,第十四MOS管的栅极与第十五MOS管的漏极连接,所述第十五MOS管的栅极与第十四MOS管的漏极连接;所述第十六MOS管的源极接电源,第十六MOS管的漏极与第十三MOS管的源极连接,所述第十七MOS管的源极接电源,第十七MOS管的漏极与第十二MOS管的源极连接;所述第一时钟开关与第十六MOS管的栅极连接,所述第一时钟开关与第十七MOS管的栅极连接;所述第二时钟开关与第十MOS管的栅极连接;

所述第八MOS管的栅极与第一MOS管的漏极连接,第九MOS管的栅极与第二MOS管的漏极连接;

所述SR锁存器的S端与第十三MOS管的源极连接,SR锁存器的R端与第十二MOS管的源极连接。

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