[发明专利]一种用于制备间隔墙上具有纳米通孔的微通道结构的方法

权利要求书

1.一种用于制备间隔墙上具有纳米通孔的微通道结构的方法，其特征在于，包括：

提供掺杂硅衬底；

在所述掺杂硅衬底上形成具有图形的第一掩膜层；

在所述第一掩膜层的掩膜作用下，在所述掺杂硅衬底上形成多个第一微通道，相邻的两个所述第一微通道之间的掺杂硅衬底为间隔墙；

在所述第一微通道的底部形成第二掩膜层；

在形成所述第二掩膜层后，对所述掺杂硅衬底进行电化学腐蚀，从而在所述间隔墙的两个侧壁上均形成多个纳米盲孔结构；

在获得所述纳米盲孔结构后，对所述掺杂硅衬底进行电化学抛光，从而在所述间隔墙的中间部分形成两个分别与两侧的纳米盲孔结构连通的内腔；以及

去除全部的所述第一掩膜层或者去除位于两个所述内腔上方的所述第一掩膜层，再去除两个相邻的所述内腔之间的硅衬底部分，从而形成纳米通孔和第二微通道。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述电化学腐蚀步骤中，所采用的腐蚀溶液为氢氟酸与醇类溶剂的混合溶液，电流为1-100mA/cm²。

3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，在所述电化学抛光步骤中，所采用的电流为电化学腐蚀步骤的电流的10倍以上。

4.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述掺杂硅衬底为重度掺杂或中度掺杂的p型或n型硅衬底。

5.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述第一掩膜层为非金属掩膜层，或者非金属掩膜层和金属掩膜层的拼接组合。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，通过化学气相沉积法、光刻、刻蚀的结合来形成非金属掩膜层；通过匀胶、光刻、溅射和剥离工艺的结合来形成金属掩膜层。

7.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，通过光刻工艺、干法刻蚀工艺、湿法刻蚀工艺或其结合形成所述第一微通道。

8.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述第二掩膜层为氮化硅、碳化硅、Cr/Au金属薄膜或Cr/Pt金属薄膜。

9.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述第一掩膜层为非金属掩膜层，在形成所述纳米通孔和第二微通道的步骤中，通过湿法刻蚀、干法刻蚀或其结合去除所述非金属掩膜层。

10.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述第一掩膜层为非金属掩膜层和金属掩膜层的拼接组合，在形成所述纳米通孔和第二微通道的步骤中，通过湿法刻蚀、干法刻蚀或其结合去除所述非金属掩膜层。