[发明专利]吸盘结构成型模具的制备方法和吸盘结构的制备方法在审
| 申请号： | 202110768773.4 | 申请日： | 2021-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN113651289A | 公开（公告）日： | 2021-11-16 |
| 发明（设计）人： | 郑德印;王玮 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 张晓玲 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 吸盘 结构 成型 模具 制备 方法 | ||
1.一种吸盘结构成型模具的制备方法，其特征在于，包括：
提供中度掺杂硅衬底；
在所述中度掺杂硅衬底上形成微纳结构阵列；以及
在形成所述微纳结构阵列后，对所述中度掺杂硅衬底进行电化学腐蚀，从而将所述微纳结构阵列转化为吸盘阵列，得到吸盘结构成型模具。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述中度掺杂硅衬底的电阻率在1-50Ω·cm区间。
3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述电化学腐蚀的腐蚀电流为1-100mA/cm2。
4.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述电化学腐蚀的腐蚀速率为5-150nm/s。
5.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，电化学腐蚀采用的腐蚀溶液为氢氟酸水溶液，或者氢氟酸与醇类溶剂的混合溶液。
6.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，在进行电化学腐蚀反应之前，在所述中度掺杂硅衬底的远离所述微纳结构阵列的表面形成一层金属薄膜作为电极。
7.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述微纳结构阵列为微米级或纳米级的圆柱阵列或方柱阵列。
8.一种吸盘结构的制备方法，包括：采用由权利要求1-6中任一项所述的制备方法得到的吸盘结构成型模具，通过两次翻模工艺制备吸盘结构。
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述两次翻模工艺包括：
填充上述吸盘阵列之间的间隙并覆盖所述吸盘阵列，从而形成第一材料层，脱模后得到具有吸盘状空隙的二次模具；以及
填充并覆盖所述吸盘状空隙，从而形成第二材料层，脱模得到吸盘结构。
10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述第二材料层为柔性材料层。
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