[发明专利]一种锗太阳能电池及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种锗太阳能电池的制备方法，其特征在于，具体过程为：

D1.使用MOCVD法，在锗衬底（200）表面生长太阳能电池外延层（300）的中电池和顶电池；

D2.清洗步骤D1所得部件，具体的，依次以丙酮清洗10min、异丙醇清洗10min、以水冲洗，并甩干；

D3.对步骤D2所得部件进行光刻保护，具体的采用负性光刻胶，显影曝光能量为230mJ；

D4.对步骤D3所得部件进行热蒸发增镀金属作为正金，采用的仪器为原子束蒸发镀膜机，所述正金的具体组成为：沿所述外延层（300）远离所述锗衬底（200）一侧表面依次形成的AuGeNi层、Au层、Ag层和Au层；

D5.采用蓝膜剥离机去除步骤D3设置的负性光刻胶，具体的去胶工艺为，将步骤D4所得部件在去胶液中超声10min，再在QDR中冲水；

D6.再次对步骤D5所得部件远离所述锗衬底（200）的一面进行匀胶保护处理；

D7.对步骤D6所得部件进行背面腐蚀和去胶处理；

D8.对步骤D7所得部件进行正面保护匀胶，其中，所述正面保护匀胶采用的光刻胶为正性光刻胶，匀胶转速为2000r/s，匀胶后使用烤箱烘烤20min，烘烤温度为100°C；

D9.对步骤D8所得部件露出所述锗衬底（200）的一面匀胶，形成光刻胶（100），所用光刻胶型号为AZ-4620，匀胶转速为3500r/s，匀胶后于烤箱中烤干，烤箱温度为100℃，烘烤时间为10min，显影曝光的能量为800mJ；

D10.采用湿法腐蚀法，腐蚀步骤D9所得部件中的锗衬底（200），腐蚀深度为70um，形成第一阶段沟槽（211）和第一阶段未腐蚀区（221）；其中所述湿法腐蚀采用腐蚀液的组成为，按照氯化氢：溴化氢：乙醇：重铬酸钾≈5:2:5:1的体积比配比；

D11.采用ICP-RIE法干法刻蚀步骤D10所得部件的锗衬底（200），刻蚀位置为步骤D10进行所述湿法腐蚀的位置，刻蚀深度为50um；形成第二阶段沟槽（212）和第二阶段未腐蚀区（222）；

D12.湿法腐蚀步骤D11所得部件的锗衬底（200），腐蚀位置为步骤D11中所述干法刻蚀的位置，所用腐蚀液为BOE，腐蚀深度为10um；形成沟槽（210）和未腐蚀区（220）；

D13.对步骤D12所得部件进行去胶处理，具体的依次用丙酮处理10min，更换丙酮后再次处理10min，用异丙醇处理10min，最后进行冲水处理；

D14.对步骤D13所得部件进行背金蒸镀处理，所述背金为沿所述锗衬底（200）远离所述外延层（300）一侧表面开始，依次叠加的Pd层，Ag层和Au层；

D15.对步骤D14所得部件依次进行帽层腐蚀、ARC蒸镀；

D16.对步骤15所得部件进行一次光刻用于套刻漏出远离所述锗衬底（200）的一面的主栅金属，便于后端进行焊接工艺；

D17.对步骤D16所得部件进行合金处理，并对表面进行切割。