[发明专利]半导体结构及半导体结构的形成方法

说明书

一种半导体结构及半导体结构的形成方法，结构包括：衬底包括相对的第一面和第二面，包括若干相互分立的有源区，若干有源区沿第一方向排列且平行于第二方向，第一方向与第二方向相互垂直；位于有源区内的若干字线栅极结构，字线栅极结构自第一面向第二面延伸且沿第二方向排列，字线栅极结构沿第一方向贯穿若干有源区；位于衬底内的第一隔离结构，字线栅极结构位于第一隔离结构两侧，第一隔离结构自衬底第二面向衬底第一面延伸；位于衬底第一面上的若干位线结构，位线结构与有源区电连接，若干位线结构沿第一方向排列，且若干位线结构平行于第二方向；位于衬底第二面上的若干电容结构，电容结构与有源区电连接。所述结构的性能得到提升。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构及半导体结构的形成方法。

背景技术

动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，简称DRAM)是一种半导体存储器，主要的作用原理是利用电容内存储电荷的多寡来代表一个二进制比特(bit)是1还是0。

动态随机存取存储器(DRAM)的基本存储单元由一个晶体管和一个存储电容组成，而存储阵列由多个存储单元组成。因此，存储器芯片面积的大小就取决于基本存储单元的面积大小。

现有的动态随机存取存储器的结构还有待改善。

发明内容

本发明解决的技术问题是提供一种半导体结构及半导体结构的形成方法，以增加动态随机存取存储器的集成度。

为解决上述技术问题，本发明技术方案提供一种半导体结构，包括：衬底，所述衬底包括相对的第一面和第二面，所述衬底包括若干相互分立的有源区，若干所述有源区沿第一方向排列，且若干所述有源区平行于第二方向，所述第一方向与第二方向相互垂直；位于所述有源区内的若干字线栅极结构，所述字线栅极结构与有源区邻接，所述字线栅极结构自第一面向第二面延伸，若干所述字线栅极结构沿第二方向排列，且所述字线栅极结构沿第一方向贯穿若干所述有源区；位于衬底内的第一隔离结构，所述字线栅极结构位于第一隔离结构两侧，所述第一隔离结构自衬底第二面向衬底第一面延伸；位于衬底第一面上的若干位线结构，所述位线结构与所述有源区电连接，若干所述位线结构沿第一方向排列，且若干所述位线结构平行于第二方向；位于衬底第二面上的若干电容结构，所述电容结构与所述有源区电连接。

可选的，还包括：位于衬底第一面有源区内的第一掺杂区；各位线结构分别与沿第二方向排列的一列若干第一掺杂区电连接。

可选的，位于衬底第二面有源区内的第二掺杂区，所述第二掺杂区的深度大于或等于所述字线栅极结构与衬底第二面之间的间距；各电容结构分别与一个有源区内的第二掺杂区电连接。

可选的，所述电容结构在衬底第二面上的投影至少与部分所述第二掺杂区重合。

可选的，相邻有源区之间具有第二隔离结构；所述衬底第二面暴露出所述第二隔离结构。

可选的，还包括：位于相邻字线栅极结构之间有源区内的第三隔离结构，所述第三隔离结构自衬底第二面向第一面延伸，所述第三隔离结构在衬底内的深度大于所述第二掺杂区的厚度。

可选的，所述字线栅极结构包括栅介质层以及位于栅介质层表面的栅极层。

可选的，所述栅极层的材料包括多晶硅或金属，所述金属包括钨。

可选的，所述栅极层包括第一分部和位于第一分部上的第二分部，所述第一分部和第二分部的材料不同。

可选的，所述第一分部的材料包括多晶硅或金属，所述金属包括钨；所述第二分部的材料包括多晶硅或金属，所述金属包括钨。