[发明专利]能克服多晶高温后腐蚀残留的方法在审
| 申请号： | 202110769331.1 | 申请日： | 2021-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN113471065A | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | 陈培仓;张冠群;彭时秋;王涛 | 申请（专利权）人： | 无锡中微晶园电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/265 |
| 代理公司： | 无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙) 32340 | 代理人： | 杨立秋 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 克服 多晶 高温 腐蚀 残留 方法 | ||
1.一种能克服多晶高温后腐蚀残留的方法，其特征是，所述方法包括如下步骤：
步骤1、提供衬底(1)，在所述衬底(1)上制备得到多晶硅层(3)，所述多晶硅层(3)通过多晶硅隔离层(2)与衬底(1)间隔；
步骤2、对上述多晶硅层(3)进行图形化，以得到多晶硅图形层(7)；
步骤3、对上述多晶硅图形层(7)进行所需的高温退火，并在高温退火后，进行所需的离子注入工艺；
步骤4、在上述多晶硅图形层(7)上制备遮蔽保护层(5)，所述遮蔽保护层(5)覆盖在多晶硅图形层(7)上；
步骤5、对上述多晶硅图形层(7)进行高温离子激活，以在高温激活后，能得到所需的多晶硅图形膜层；
步骤6、去除所述多晶硅图形膜层上的遮蔽保护层(5)。
2.根据权利要求1所述的能克服多晶高温后腐蚀残留的方法，其特征是：步骤1中，衬底(1)包括硅衬底，多晶硅隔离层(2)包括二氧化硅层，多晶硅层(3)通过LPCVD淀积在多晶硅隔离层(2)上。
3.根据权利要求1所述的能克服多晶高温后腐蚀残留的方法，其特征是：步骤2中，在对多晶硅层(3)进行图像化时，包括如下步骤：
步骤2.1、在多晶硅层(3)上设置掩膜层(4)，选择性地掩蔽和刻蚀所述掩膜层(4)，以能得到贯通所述掩膜层(4)的掩膜层窗口(6)；
步骤2.2、利用上述掩膜层(4)以及掩膜层窗口(6)对多晶硅层(3)进行腐蚀，以能得到所需的多晶硅图形层(7)。
4.根据权利要求1所述的能克服多晶高温后腐蚀残留的方法，其特征是：步骤3中，进行离子注入工艺时，所注入的离子类型包括B或P，注入能量50-90KeV，注入剂量5E15-1.5E16。
5.根据权利要求1所述的能克服多晶高温后腐蚀残留的方法，其特征是：所述遮蔽保护层(5)包括二氧化硅层。
6.根据权利要求1至5任一项所述的能克服多晶高温后腐蚀残留的方法，其特征是：步骤5中，高温离子激活时，温度为1000℃～1100℃，离子激活的时间为30分钟～60分钟。
7.根据权利要求3所述的能克服多晶高温后腐蚀残留的方法，其特征是：所述掩膜层(4)包括光刻胶。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
