[发明专利]一种实现稀土熔盐电极钨、钼阴极延寿的熔盐非电解渗局部处理方法有效
申请号: | 202110769741.6 | 申请日: | 2021-07-07 |
公开(公告)号: | CN113481544B | 公开(公告)日: | 2022-06-03 |
发明(设计)人: | 唐长斌;俞永奇;刘子龙;崔段段;陈红霞;许妮君;薛娟琴 | 申请(专利权)人: | 西安建筑科技大学 |
主分类号: | C25C3/34 | 分类号: | C25C3/34;C25C7/02 |
代理公司: | 西安智大知识产权代理事务所 61215 | 代理人: | 段俊涛 |
地址: | 710055*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 实现 稀土 电极 阴极 延寿 熔盐非 电解 局部 处理 方法 | ||
1.一种实现稀土熔盐电极钨、钼阴极延寿的熔盐非电解渗局部处理方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤(1),利用钛制防渗夹具保护非渗区域;
步骤(2),对钨阴极或钼阴极欲渗部位表面预处理;
步骤(3),将预处理好的钨阴极或钼阴极浸没于混合熔盐进行无电解中性熔盐渗硅,原位反应在钨阴极或钼阴极上制备出一层金属硅化物渗层,所述混合熔盐由中性盐、渗硅剂和Si粉组成,混合熔盐按摩尔分数30~35% NaCl、30~35% KCl、10~15% NaF、0~5%Na2SiF6、15~20% Si配置,Na2SiF6为渗硅剂,且Na2SiF6用量不为0;
其中,混合熔盐配置之前,将中性盐在100~110℃下2~6h烘干,然后与渗硅剂混合均匀后研成细粉,最后加入Si粉,并在配置好的混合熔盐中放入石英棒以稳定渗镀过程中Si源浓度,硅化物渗层制备温度为830~900℃,保温时间为2~6h;
步骤(4),硅化物渗层制备完成后,取出钨阴极或钼阴极,放置在空气中自然冷却后,清洗烘干。
2.根据权利要求1所述实现稀土熔盐电极钨、钼阴极延寿的熔盐非电解渗局部处理方法,其特征在于,所述步骤(1)中,依据钨阴极或钼阴极尺寸设计和加工出纯钛防护夹具对非渗区域实施保护,以保证非渗区域不被高温熔盐接触,杜绝发生渗硅过程。
3.根据权利要求1所述实现稀土熔盐电极钨、钼阴极延寿的熔盐非电解渗局部处理方法,其特征在于,所述步骤(2)中,预处理是进行机械整平、除油,保证表面无油污、无污染物附着且无明显氧化层存在。
4.根据权利要求1所述实现稀土熔盐电极钨、钼阴极延寿的熔盐非电解渗局部处理方法,其特征在于,所述步骤(3)中,混合熔盐盛放于氧化铝坩埚中。
5.根据权利要求1所述实现稀土熔盐电极钨、钼阴极延寿的熔盐非电解渗局部处理方法,其特征在于,所述步骤(4)中,用清水反复清洗去除试样表面的残盐,并依次用丙酮、无水乙醇超声清洗后烘干。
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