[发明专利]一种微米级钙钛矿厚膜及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种微米级钙钛矿厚膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

钙钛矿前驱体溶液的配备：

将AX和芳香族脒溶解于第一前驱体溶剂中，搅拌至完全溶解后得到第一前驱体溶液；将PbX₂溶解于第二前驱体溶剂中，搅拌至完全溶解后得到第二前驱体溶液；

钙钛矿膜的制备：

将钙钛矿前驱体溶液旋涂在基底上，基底选择为FTO，ITO，Si，CIGS柔性或刚性基底的一种；旋涂结束后分阶段加热得到微米级钙钛矿厚膜。

2.根据权利要求1所述的微米级钙钛矿厚膜的制备方法，其特征在于，芳香族脒为苯甲脒盐酸盐、苯乙脒盐酸盐或芳香族脒类化合物的任一种。

3.根据权利要求1所述的微米级钙钛矿厚膜的制备方法，其特征在于，AX选择1:1-1:4比例的FAI和MACL。

4.根据权利要求1所述的微米级钙钛矿厚膜的制备方法，其特征在于，使用液相两步旋涂法将钙钛矿前驱体溶液旋涂在基底上。

5.根据权利要求1所述的微米级钙钛矿厚膜的制备方法，其特征在于，旋涂结束后分阶段加热得到钙钛矿膜包括步骤：在第一温度下加热第一时间后，在第二温度下加热第二时间，其中第一时间短于第二时间，第一温度低于第二温度。

6.一种微米级钙钛矿厚膜，其特征在于，根据权利要求1到7任一所述的微米级钙钛矿厚膜的制备方法制备得到。

7.根据权利要求6所述的微米级钙钛矿厚膜，其特征在于，微米级钙钛矿厚膜的膜厚度大于1微米，光致发光瞬态荧光寿命达到10μs。

8.一种单结光电器件，其特征在于，应用上述权利要求6所述的微米级钙钛矿厚膜。

9.一种二端叠层器件，其特征在于，应用上述权利要求6所述的微米级钙钛矿厚膜。

10.一种四端叠层器件，其特征在于，应用上述权利要求6所述的微米级钙钛矿厚膜。