[发明专利]功率器件驱动电路

权利要求书

1.一种功率器件驱动电路，包括

上拉和/或下拉单元，配置为向功率器件提供上拉或下拉信号，其中每个所述上拉单元和/或下拉单元分别包括多个型号相同的上拉晶体管或型号相同的下拉晶体管；

被测单元，其包括被测晶体管，所述被测晶体管与所述上拉晶体管或下拉晶体管型号相同，并与导通的上拉晶体管和/或下拉晶体管接收相同的偏置；

测量单元，耦合到所述被测单元，配置为检测被测晶体管的属性，并与预设的阈值进行比较；以及

调控单元，耦合到所述测量单元以及所述上拉或下拉单元，配置为基于所述测量单元输出的结果控制所述上拉和/或下拉晶体管的导通数量。

2.如权利要求1所述的电路，其中所述测量单元包括

镜像组件，耦合到所述被测晶体管，配置为将体现所述被测晶体管属性的电流或电压形成镜像信号；

比较组件，耦合到所述镜像组件，配置为接收所述镜像信号并将其与所述预设阈值进行比较，并且将所述比较结果发送给所述调控单元。

3.如权利要求2所述的电路，其中

所述下拉晶体管的第一极彼此耦合，配置为在所述驱动电路的输出端输出功率器件下拉信号，其第二极彼此耦合配置为接收功率器件低电平信号，其控制极耦合到各自的下拉晶体管驱动电路，所述下拉晶体管驱动电路配置为接收下拉晶体管驱动电路电源信号，其控制端分别耦合到所述调控单元相应的输出端；

所述待测晶体管的控制极耦合到待测晶体管驱动电路，所述待测晶体管驱动电路配置为接收下拉晶体管驱动电路电源信号，所述待测晶体管的第二极耦合到所述下拉晶体管第二极，所述待测晶体管的第一极和第二极分别耦合到所述测量单元。

4.如权利要求3所述的电路，其中

所述镜像组件包括第一晶体管、第二晶体管和第一检测电阻，所述第一和第二晶体管的第一极配置为接收校准电路正电源信号，二者的控制极以及所述第一晶体管的第二极耦合到所述待测晶体管的第一极，所述第二晶体管的第二极通过所述第一检测电阻耦合到所述待测晶体管的第二极；

所述下拉晶体管数量为X，X为大于等于2的整数；

所述比较组件包括X-1个比较器，所述预设阈值包括X-1个参考信号，以形成X个区间，第1个区间对应X个下拉晶体管都导通的情况，随着区间序号的增加导通的下拉晶体管数量减少，第X个区间对应只有一个下拉晶体管导通的情况；每个比较器的正输入端都配置为接收所述第一检测电阻上的压降，每个比较器负输入端配置为接收相应的参考信号，每个比较器的输出端分别耦合到所述调控单元。

5.如权利要求2所述的电路，其中

所述上拉晶体管的第一极彼此耦合，配置为接收功率器件正电源信号，其第二极彼此耦合配置为在所述驱动电路的输出端输出上拉信号，其控制极耦合到各自的上拉晶体管驱动电路，所述上拉晶体管驱动电路配置为接收上拉晶体管驱动电路电源信号，其控制端分别耦合到所述调控单元相应的输出端；

所述待测晶体管的控制极耦合到待测晶体管驱动电路，所述待测晶体管驱动电路配置为接收上拉晶体管驱动电路电源信号，所述待测晶体管第一极耦合到所述上拉晶体管第一极，其第一极和第二极分别耦合到所述测量单元。

6.如权利要求5所述的电路，其中

所述镜像单元包括第三晶体管、第四晶体管和第二检测电阻，所述第三和第四晶体管的第二极配置为接收校准电路负电源信号，二者的控制极以及所述第三晶体管的第一极耦合到所述待测晶体管的第二极，所述第四晶体管的第一极通过所述第二检测电阻耦合到所述待测晶体管的第一极；

所述上拉晶体管数量为Y，Y为大于等于2的整数；

所述比较组件包括Y-1个比较器，所述预设阈值包括Y-1个参考信号，以形成Y个区间，第1个区间对应Y个上拉晶体管都导通的情况，随着区间序号的增加导通的上拉晶体管数量减少，第Y个区间对应只有一个上拉晶体管导通的情况；每个比较器的正输入端都配置为接收所述第二检测电阻上的压降，每个比较器负输入端配置为接收相应的参考信号，每个比较器的输出端分别耦合到所述调控单元。

7.一种电子设备，包括功率器件，以及耦合到所述功率器件的如权利要求1-6中任意所述的功率器件驱动电路。