[发明专利]一种光敏场效应晶体管

权利要求书

1.一种光敏场效应晶体管，其特征在于，包括：

衬底(1)；

高阻层(2)，设置于所述衬底(1)上；

光敏层(3)和晶体管结构层，均设置于所述高阻层(2)上，且所述光敏层(3)和所述晶体管结构层之间具有间隙(5)；所述晶体管结构层包括二维材料层(41)以及与所述二维材料层(41)相接触的源极(42)、漏极(43)和栅极(44)；

第一电极(6)和第二电极(7)，所述第一电极(6)和所述第二电极(7)分别设置于所述光敏层(3)上相对应的两个端部，且所述第二电极(7)设置于所述光敏层(3)靠近所述晶体管结构层的端部，所述第二电极(7)与所述栅极(44)电连接；所述第一电极(6)用于连接电信号。

2.根据权利要求1所述的光敏场效应晶体管，其特征在于，所述二维材料层(41)设置于所述高阻层(2)上，所述源极(42)、所述漏极(43)和所述栅极(44)均设置于所述二维材料层(41)上，所述栅极(44)设置于所述源极(42)和所述漏极(43)之间。

3.根据权利要求1所述的光敏场效应晶体管，其特征在于，所述源极(42)、所述漏极(43)和所述二维材料层(41)均设置于所述高阻层(2)上，且所述二维材料层(41)填充于所述源极(42)和所述漏极(43)之间，所述栅极(44)设置于所述二维材料层(41)上。

4.根据权利要求1-3任一项所述的光敏场效应晶体管，其特征在于，所述光敏层(3)为卤化物钙钛矿层或者类钙钛矿层。

5.根据权利要求4所述的光敏场效应晶体管，其特征在于，所述光敏层(3)的厚度为100nm-5μm。

6.根据权利要求4所述的光敏场效应晶体管，其特征在于，所述二维材料层(41)包括沟道层(411)和势垒层(412)，且所述势垒层(412)设置于所述沟道层(411)上。

7.根据权利要求4所述的光敏场效应晶体管，其特征在于，还包括：

缓冲层(8)，所述缓冲层(8)设置于所述衬底(1)和所述高阻层(2)之间。

8.根据权利要求4所述的光敏场效应晶体管，其特征在于，所述第一电极(6)与所述光敏层(3)欧姆接触或者肖特基接触，所述第二电极(7)与所述光敏层(3)欧姆接触或者肖特基接触。