[发明专利]一种氧化镓日盲紫外探测器

权利要求书

1.一种氧化镓日盲紫外探测器，其特征在于，包括衬底层、氧化镓层、钝化层、铁电层和电极层，所述氧化镓层设置在所述衬底层的表面，所述钝化层设置在所述氧化镓层的表面，所述铁电层设置在所述钝化层的表面，所述铁电层覆盖部分所述钝化层，所述电极层与所述氧化镓层接触。

2.根据权利要求1所述的氧化镓日盲紫外探测器，其特征在于，所述铁电层覆盖于所述钝化层的一个连续区域，所述电极层包括设置在所述钝化层两侧的电极，所述铁电层与一侧所述电极接触。

3.根据权利要求1所述的氧化镓日盲紫外探测器，其特征在于，所述铁电层覆盖于所述钝化层的一个连续区域，所述电极层包括设置在所述钝化层两侧的电极，所述铁电层与两侧所述电极均不接触。

4.根据权利要求1所述的氧化镓日盲紫外探测器，其特征在于，所述铁电层覆盖于所述钝化层的多个非连续区域。

5.根据权利要求1-4任一所述的氧化镓日盲紫外探测器，其特征在于，所述铁电层覆盖1/3-2/3的所述钝化层。

6.根据权利要求1-4任一所述的氧化镓日盲紫外探测器，其特征在于，所述铁电层的材料选自Pb(Zr,Ti)O₃基铁电材料、BaTiO₃基铁电材料、BiFeO₃基铁电材料、(Bi,Na)TiO₃基铁电材料或聚偏氟乙烯基聚化物中的一种。

7.根据权利要求6所述的氧化镓日盲紫外探测器，其特征在于，所述铁电层的厚度介于20nm-300nm。

8.根据权利要求1-4任一所述的氧化镓日盲紫外探测器，其特征在于，所述钝化层的材料选自Si₃N₄、SiO₂、Al₂O₃、HfO₂中的一种。

9.根据权利要求8所述的氧化镓日盲紫外探测器，其特征在于，所述钝化层的厚度介于5nm-100nm。

10.根据权利要求1-4任一所述的氧化镓日盲紫外探测器，其特征在于，所述氧化镓层的材料选自非晶氧化镓、多晶氧化镓、单晶氧化镓中的一种，所述衬底层的材料选自单晶Ga₂O₃、蓝宝石Al₂O₃、GaN、AlN、石英、单晶硅中的一种，所述电极的材料选自Ti、Al、Ni、Au、Mo、Pt中的一种或多种。