[发明专利]一种铼坩埚及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 202110771475.0 | 申请日： | 2021-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN113512713A | 公开（公告）日： | 2021-10-19 |
| 发明（设计）人： | 魏燕;胡昌义;蔡宏中;胡晋铨;周利民;张诩翔;王献;闻明;张贵学;崔浩;陈力;汪星强;黎玉盛;刘盼 | 申请（专利权）人： | 贵研铂业股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/14 | 分类号： | C23C16/14;C30B35/00 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 赵琪 |
| 地址： | 650156 云南省昆*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 坩埚 及其 制备 方法 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一种铼坩埚的制备方法，其特征在于，包括以下步骤；
在真空条件下，将铼与氯气发生氯化反应，得到ReCl5气体；
对基体进行加工，得到沉积铼坩埚用模芯；
将所述沉积铼坩埚用模芯预热，得到预热沉积铼坩埚用模芯；
将所述ReCl5气体输送至所述预热沉积铼坩埚用模芯的表面进行化学气相沉积，得到铼坩埚。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述铼与氯气的摩尔比为2:5。
3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述氯气的流速为50～100mL/min。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述基体的材质为石墨或金属棒。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述金属棒为钼棒、铌棒、钼合金棒或铌合金棒。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述预热的温度为1100～1300℃。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述化学气相沉积的温度为1100～1300℃，压力为800～1200Pa。
8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述氯化反应的温度为600～900℃。
9.权利要求1～8任一项所述制备方法制得的铼坩埚。
10.权利要求9所述的铼坩埚在制备稀土难熔氧化物晶体中的应用。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
