[发明专利]驱动系统、驱动方法、计算机系统和可读介质在审
申请号: | 202110772644.2 | 申请日: | 2021-07-08 |
公开(公告)号: | CN113467565A | 公开(公告)日: | 2021-10-01 |
发明(设计)人: | 魏家徵;于梁;魏述琦 | 申请(专利权)人: | 海宁奕斯伟集成电路设计有限公司;北京奕斯伟计算技术有限公司 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 万里晴 |
地址: | 314400 浙江省嘉兴市海宁市海*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 驱动 系统 方法 计算机系统 可读 介质 | ||
提供自动检测片上电压以调整薄膜晶体管的栅极电压的驱动系统、驱动方法、计算机系统和计算机可读介质。驱动系统包括:输入电路,被配置为接收输入的片上电压并输出片上电压;调整电路,被配置为自动检测所述输入电路输出的片上电压的当前幅度,向所驱动的薄膜晶体管的栅极输出与所述片上电压的当前幅度对应的偏置电压,其中所述薄膜晶体管的源极直接或间接耦合到所述片上电压,所述偏置电压低于所述片上电压。可以通过自动检测片上电压并自动调整的动作来完成对于不同I/O(输入/输出)电压电平的晶体管栅极保护和接收器阈值电压调整。
技术领域
本申请涉及集成电路领域,且更具体地涉及自动检测片上电压以调整薄膜晶体管的栅极电压的驱动系统、驱动方法、计算机系统和计算机可读介质。
背景技术
氧化物薄膜晶体管(Thin-film transistors,TFTs)是一类重要的半导体器件,在透明、柔性电子学器件及便携式电子学器件应用等领域有着广泛的应用价值。
薄膜晶体管的片上电压OVDD可以取3.3V、2.5V、1.8V。因此薄膜晶体管的输入/输出驱动电路也需要满足3.3V/2.5V/1.8V薄膜晶体管接口的可靠性约束,以适应不同的栅极电压。
如果根据不同的输入/输出电压来设计不同的输入/输出驱动电路来避免薄膜晶体管的栅极应力问题,不仅增加了设计的复杂性,而且增加了面积和功耗,大大增加成本。
因此,需要根据不同片上电压调整薄膜晶体管的栅极电压的驱动电路。
发明内容
根据本发明的一个方面,提供一种自动检测片上电压以调整薄膜晶体管的栅极电压的驱动系统,包括输入电路,被配置为接收输入的片上电压并输出片上电压;调整电路,被配置为自动检测所述输入电路输出的片上电压的当前幅度,向所驱动的薄膜晶体管的栅极输出与所述片上电压的当前幅度对应的偏置电压,其中所述薄膜晶体管的源极直接或间接耦合到所述片上电压,所述偏置电压低于所述片上电压。
根据本发明的另一个方面,提供一种自动检测片上电压以调整薄膜晶体管的栅极电压的驱动方法,包括输入步骤,由输入电路接收输入的片上电压并输出片上电压;调整步骤,由调整电路自动检测所述输入电路输出的片上电压的当前幅度,向所驱动的薄膜晶体管的栅极输出与所述片上电压的当前幅度对应的偏置电压,其中所述薄膜晶体管的源极直接或间接耦合到所述片上电压,所述偏置电压低于所述片上电压。
根据本发明的另一个方面,提供一种计算机系统,包括:处理器;存储器,耦合于处理器,且在其中存储计算机可执行指令,用于在由处理器执行时进行如本公开的实施例的驱动方法。
根据本发明的另一个方面,提供一种计算机可读介质,其上存储有计算机程序,其中,所述程序被处理器执行时实现如本公开的实施例的驱动方法。
如此,由于检测到片上电压的当前幅度,从而使得偏置电压低于当前幅度的片上电压,从而保护了薄膜晶体管的栅极不至于承受不恰当的电压幅度,从而使得当前驱动系统在无论3.3V、2.5V还是1.8V或其他幅度的片上电压的情况下都能自适应地应用且保护薄膜晶体管的栅极。因此,根据本申请的各个实施例,可以通过自动检测片上电压并自动调整的动作来完成对于不同I/O(输入/输出)电压电平的晶体管栅极保护和接收器阈值电压调整。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1示出了根据本申请的实施例的自动检测片上电压以调整薄膜晶体管的栅极电压的驱动系统的方框图。
图2示出了根据本申请的实施例的包括栅极应力保护电路的具体示例电路结构、驱动系统、接收器电路和输入-输出电平转换器的电路图。
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