[发明专利]半导体结构、晶体管器件、及形成半导体结构的方法

说明书

本发明描述了一种半导体结构，该半导体结构包括沟道区域、与沟道区域相邻的源极区域、漏极区域、与漏极区域相邻的漂移区域以及双栅极结构。双栅极结构包括位于沟道区域的一部分和漂移区域的一部分上方的第一栅极结构。双栅极结构还包括位于漂移区域上方的第二栅极结构。本发明实施例还涉及晶体管器件、及形成半导体结构的方法。

技术领域

本发明的实施例涉及半导体结构、晶体管器件、及形成半导体结构的方法。

背景技术

随着半导体技术的进步，对更高存储容量、更快处理系统、高性能和低成本的需求日益增大。为满足这些需求，半导体行业不断缩小半导体器件的尺寸。已经开发了Fin型场效应晶体管(finFET)以减少器件占用面积并提高器件性能。FinFET是形成在鳍上的FET，该鳍相对于晶圆的平面表面竖直定向。

发明内容

本发明的一种实施例提供一种半导体结构，半导体结构包括：沟道区域；源极区域，源极区域与所述沟道区域相邻；漏极区域；漂移区域，漂移区域与所述漏极区域相邻；以及双栅极结构，所述双栅极结构包括第一栅极结构和第二栅极结构，第一栅极结构位于所述沟道区域的一部分和所述漂移区域的一部分上方；第二栅极结构位于所述漂移区域上方。

本发明的另一实施例提供一种晶体管器件，晶体管器件包括：源极区域；漏极区域；沟道区域，沟道区域介于所述源极区域和所述漏极区域之间；漂移区域，漂移区域介于所述漏极区域和所述沟道区域之间；栅极介电层，栅极介电层与所述沟道区域和所述漂移区域接触；以及双栅极结构，双栅极结构位于所述栅极介电层上方，所述双栅极结构包括第一栅极结构和第二栅极结构，第一栅极结构位于所述沟道区域和所述漂移区域上方，所述第一栅极结构包括第一栅极长度，第二栅极结构位于所述漂移区域上方，所述第二栅极结构包括第二栅极长度。

本发明的又一实施例提供一种形成半导体结构的方法，所述方法包括：在衬底中形成沟道区域和漂移区域；在所述沟道区域、所述漂移区域和所述衬底的顶面上沉积栅极介电层；在所述栅极介电层上沉积栅极材料；蚀刻所述栅极材料以形成双栅极结构，双栅极结构包括第一栅极结构和第二栅极结构，第一栅极结构位于所述沟道区域和所述漂移区域上方，其中，所述第一栅极结构包括第一栅极长度，第二栅极结构位于所述漂移区域上方，其中，所述第二栅极结构包括第二栅极长度；蚀刻所述栅极介电层；在所述双栅极结构的外侧壁上形成外部间隔件；以及形成与所述第一栅极结构和第二栅极结构接触的内部间隔件。

附图说明

当结合附图进行阅读时，可以最佳地理解本发明的各个方面。值得注意的是，根据工业中的标准实践，各种部件没有被按比例绘制，实际上，为了清楚地讨论，各种部件的尺寸可以任意增加或减少。

图1是根据一些实施例的半导体结构的等距视图。

图2是示出根据一些实施例的用于形成具有双栅极结构的半导体器件的方法的流程图。

图3至图16示出根据一些实施例的各种半导体器件的截面图。

现在将参考附图描述图示的实施例。在附图中，相同的附图标记通常表示在功能上相似和/或结构上类似的元件。

具体实施方式

以下公开提供多种不同实施例或示例，以实现发明所提供的不同主题。下面描述组件和布置的具体示例以简化本发明。当然，这些只是示例，而非限制性的。例如，在下面的描述中，在第二部件上方形成第一部件可以包括其中第一和第二部件直接接触形成的实施例，并且还可以包括在第一和第二部件之间设置附加部件的实施例，使得第一和第二部件不直接接触。另外，本发明可以在各种示例中重复附图标记和/或字母。这种重复本身并不决定讨论的各种实施例和/或配置之间的关系。