[发明专利]检查装置和检查装置的控制方法在审
申请号: | 202110774058.1 | 申请日: | 2021-07-08 |
公开(公告)号: | CN113948417A | 公开(公告)日: | 2022-01-18 |
发明(设计)人: | 中山博之 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/66 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;王昊 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 检查 装置 控制 方法 | ||
本发明提供一种提高被检查体的温度均匀性的检查装置和检查装置的控制方法。本发明的检查装置包括:用于载置具有被检查体的基板的载置台;具有对所述被检查体供给电流的探针的探针卡;照射光来加热所述基板的光照射机构;和所述控制部执行如下步骤:利用来自所述光照射机构的光均匀地加热所述被检查体的步骤;和利用来自所述光照射机构的光加热所述被检查体的外周部的步骤。
技术领域
本发明涉及检查装置和检查装置的控制方法。
背景技术
已知有如下检查装置:将形成有电子器件的晶片或配置有电子器件的载体载置于载置台,从测试器经由探针等对电子器件供给电流,由此检查电子器件的电特性。利用载置台内的冷却机构和加热机构控制电子器件的温度。
在专利文献1中公开了一种使接触端子与设置于被检查体的电子器件电接触来检查该电子器件的检查装置,其特征在于,包括:载置台,其在内部具有供能够使光透过的制冷剂流通的制冷剂流路,用于载置所述被检查体,且由光透射部件形成与所述被检查体的载置侧相反的一侧;光照射机构,其以与所述载置台的所述被检查体的载置侧的相反的一侧相对的方式配置,具有指向所述被检查体的多个LED;和控制部,其控制利用所述制冷剂进行的吸热和利用来自所述LED的光进行的加热,控制作为检查对象的所述电子器件温度,所述控制部至少基于测量出的所述检查对象的所述电子器件的温度,控制来自所述LED的光输出,基于所述LED的光输出来控制所述制冷剂的吸热。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2019-153717号公报
发明内容
发明要解决的课题
然而,在检查电子器件时,因对电子器件供给电流而电子器件发热。电子器件的发热通过向电子器件的外周方向的热释放而产生中心侧成为高温、外周侧成为低温的热分布。
在一个方面中,本发明提供一种提高被检查体的温度均匀性的检查装置和检查装置的控制方法。
用于解决课题的方法
为了解决上述课题,根据一个方面,提供一种检查装置,其包括:用于载置具有被检查体的基板的载置台;具有对所述被检查体供给电流的探针的探针卡;照射光来加热所述基板的光照射机构;和所述控制部执行如下步骤:利用来自所述光照射机构的光均匀地加热所述被检查体的步骤;和利用来自所述光照射机构的光加热所述被检查体的外周部的步骤。
发明的效果
根据该一个方面,能够提供提高被检查体的温度均匀性的检查装置和检查装置的控制方法。
附图说明
图1是说明本实施方式的检查装置的结构的截面示意图。
图2是说明本实施方式的检查装置中的晶片的温度调节机构的截面示意图的一例。
图3是说明在本实施方式的检查装置中,载置于载置台的晶片的温度控制的流程图的一例。
图4是说明第1照射工序中的温度调节机构的动作的截面示意图的一例。
图5是说明第1照射工序中的照射光的LED分区的一例的俯视图的一例。
图6是说明第2照射工序中的温度调节机构的动作的截面示意图的一例。
图7是说明第2照射工序中的照射光的LED分区的一例的俯视图的一例。
附图标记说明
W 晶片
10 检查装置
11 载置台
14 测试器
15 探针卡
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造