[发明专利]第三代半导体结构及其制造方法在审
| 申请号： | 202110774882.7 | 申请日： | 2021-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN113675259A | 公开（公告）日： | 2021-11-19 |
| 发明（设计）人： | 陈正培;徐文凯 | 申请（专利权）人： | 深圳镓芯半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/20;H01L29/207;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 深圳中创智财知识产权代理有限公司 44553 | 代理人： | 郑一帆;田宇 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市光明区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 第三代 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种第三代半导体结构，其特征在于，所述第三代半导体结构包括：
衬底；
缓冲层，设置于所述衬底上；
集电极层，设置于所述缓冲层上；
基电极层，设置于所述集电极层上；
异质外延层，设置于所述基电极层上，所述异质外延层包括AlGaN；
射电极层，设置于所述异质外延层上。
2.根据权利要求1所述的第三代半导体结构，其特征在于，所述异质外延层中Al的浓度从所述基电极层向所述射电极层逐渐递减至零。
3.根据权利要求2所述的第三代半导体结构，其特征在于，所述异质外延层中Al原子和Ga原子的初始浓度配比为Al：Ga＝x：1-x。
4.根据权利要求1-3任意一项所述的第三代半导体结构，其特征在于，所述异质外延层包括第一异质外延层和第二异质外延层，所述第一异质外延层设置于所述集电极层上，所述第二异质外延层设置于所述第一异质外延层上，所述射电极层设置于所述第二异质外延层上。
5.根据权利要求4所述的第三代半导体结构，其特征在于，所述第一异质外延层中Al原子和Ga原子的初始浓度配比范围为0.15：0.85-0.80：0.20。
6.根据权利要求4所述的第三代半导体结构，其特征在于，所述第一异质外延层的厚度为50-70nm，所述第二异质外延层的厚度为10-30nm。
7.根据权利要求1所述的第三代半导体结构，其特征在于，所述集电极层的厚度为1400nm-1800nm，所述基电极层的厚度为100nm-140nm，所述异质外延层的厚度为60-100nm，所述射电极层的厚度为100nm-120nm。
8.一种第三代半导体结构的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：
提供一衬底；
于所述衬底上外延淀积一缓冲层；
于所述缓冲层上外延淀积一集电极层；
于所述集电极层上外延淀积一基电极层；
于所述基电极层上外延淀积一异质外延层，所述异质外延层包括AlGaN；
于所述异质外延层上外延淀积一射电极层。
9.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述于所述基电极层上外延淀积一异质外延层的步骤分两步形成，包括：
于所述基电极层上外延淀积第一异质外延层；
于所述初始层上外延淀积第二异质外延层。
10.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述第一异质外延层的外延淀积厚度为50nm-70nm，外延淀积时Al原子和Ga原子的初始浓度配比范围为0.15：0.85-0.80：0.20；
所述第二异质外延层的外延淀积厚度为10nm-30nm。
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