[发明专利]微LED芯片及其封装方法、电子装置

说明书

本发明提供微LED芯片及其封装方法、电子装置，所述封装方法包括：提供第一衬底，所述第一衬底上设有若干微LED芯片结构，任意相邻的微LED芯片结构之间间隔第一间距；提供第二衬底，所述第二衬底上设有若干接收电极，每一接收电极上设置导电结合层，任意相邻的接收电极之间间隔第二间距，所述第二间距大于所述第一间距；键合每一接收电极和对应的微LED芯片结构；以及激光照射所述第一衬底，选择性转移与每一接收电极键合的微LED芯片结构至所述第二衬底上制得所述微LED芯片。

技术领域

本发明涉及半导体器件制作技术领域，尤其涉及一种微LED芯片、电子装置及其封装方法。

背景技术

LED(Light-Emitting Diode，发光二极管)芯片作为半导体照明的核心元器件，保证其基本的光电性能和外观要求是后续加工的基础，在LED芯片的生产加工完成后，需要对芯片进行光电性能测试，以便根据其光电参数对LED芯片进行等级分类。

在现有LED芯片中，一般用自动测试机进行测试，但是现有技术中的点测技术通常适用于普通尺寸的LED芯片。随着LED的发展，MiniLED和MicroLED作为新一代显示技术，通过将LED芯片微小化使用，作为显示面板使用。以尺寸小于100μm的MicroLED为例，由于MicroLED电极尺寸变小和正负电极之间距离变小，导致现有技术中的电性测试的探针设备难以完成Micro LED微器件光电测试。此外，目前的非接触式测试手段光致发光检测和光学检测还无法替代电性测试的测试内容。

另外，倒装封装结构的微LED芯片，基于倒装焊技术，在传统微LED芯片封装的基础上，减少了金线引线封装工艺，省掉导线架、打线。由于没有金线引线，因此，不会存在虚焊或接触不良等封装问题。另外，相比于正装封装结构的微LED芯片的封装工艺，倒装封装结构的微LED芯片的封装密度增大，且封装体积显著缩减。

因此，需要提出一种微LED芯片结构及其制作方法，利用倒装封装结构的芯片级封装技术的优势，克服现有的微LED芯片结构封装难度大、光电检测困难的问题。

发明内容

为解决上述问题，本发明技术方案提供了一种封装方法，适用于微LED芯片封装，所述封装方法包括：

提供第一衬底，所述第一衬底上设有若干微LED芯片结构，任意相邻的微LED芯片结构之间间隔第一间距；

提供第二衬底，所述第二衬底上设有若干接收电极，每一接收电极上设置导电结合层，任意相邻的接收电极之间间隔第二间距，所述第二间距大于所述第一间距；

键合每一接收电极和对应的微LED芯片结构；以及

激光照射所述第一衬底，选择性转移与每一接收电极键合的微LED芯片结构至所述第二衬底上制得所述微LED芯片。

作为可选的技术方案，所述微LED芯片为倒装结构微LED芯片。

作为可选的技术方案，所述导电结合层为选自异方性导电胶层、锡膏层或者导电银胶。

作为可选的技术方案，所述接收电极的边缘突出所述微LED芯片在所述第二衬底上投影的边缘。

作为可选的技术方案，还包括：于所述第二衬底形成若干通孔，若干通孔和若干接收电极一一对应，且每一接收电极自对应的通孔中露出；

于所述若干通孔中填充导通层；以及

于所述第二衬底远离所述若干微LED芯片结构的一侧形成若干焊接电极，若干焊接电极和若干接收电极一一对应；

其中，每一导通层导通对应的接收电极和焊接电极。

作为可选的技术方案，所述导通层的材料选自金属铜、金属铝或者其组合。

作为可选的技术方案，还包括：形成若干辅助电极于所述第二衬底上，若干辅助电极与若干接收电极一一对应；其中，每一辅助电极覆盖于对应的每一接收电极远离所述第二衬底一侧，且每一辅助电极电连接每一接收电极。