[发明专利]一种铀还原分离的Ag掺杂CdSe纳米片光催化材料的制备及应用

权利要求书

1.一种铀还原分离的Ag掺杂CdSe纳米片光催化材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一、将CdCl₂•2.5H₂O和AgNO₃的混合粉末与辛胺和油胺的第一混合溶剂混合均匀，加热到115~125℃后反应1~3小时，自然冷却到室温，得到反应溶液；

步骤二、在室温下，将Se粉与辛胺和油胺的第二混合溶剂混合均匀，得到Se前驱体溶液；

步骤三、将步骤二的Se前驱体溶液加入步骤一的反应溶液中，然后加热至90~100℃，反应14~18小时，冷却至室温，得到的沉淀物用三氯甲烷溶液清洗多次，然后将沉淀物和十六烷基三甲基溴化铵溶液加入超临界二氧化碳反应装置中，向超临界二氧化碳反应装置中注入二氧化碳，在温度为35~40℃、压力为12~18MPa的条件下搅拌15~30min，泄压，然后超声15~30min；然后用乙醇洗涤沉淀物多次，真空干燥，得到Ag掺杂CdSe纳米片光催化材料。

2.如权利要求1所述的铀还原分离的Ag掺杂CdSe纳米片光催化材料的制备方法，其特征在于，所述步骤一中，CdCl₂•2.5H₂O和AgNO₃的摩尔比为1.4~1.5:0.01~0.035；所述辛胺和油胺的体积比为1:1；所述混合粉末与第一混合溶剂的摩尔体积比为1.5mmol:10mL。

3.如权利要求1所述的铀还原分离的Ag掺杂CdSe纳米片光催化材料的制备方法，其特征在于，所述步骤二中，Se粉与第二混合溶剂的摩尔体积比为4.5mmol：5mL；所述辛胺和油胺的体积比为1:1。

4.如权利要求1所述的铀还原分离的Ag掺杂CdSe纳米片光催化材料的制备方法，其特征在于，所述步骤三中，十六烷基三甲基溴化铵溶液的浓度为0.05~0.15mol/L；所述步骤一中的混合粉末与十六烷基三甲基溴化铵溶液的摩尔体积比为1.5mmol:25~45mL。

5.如权利要求1所述的铀还原分离的Ag掺杂CdSe纳米片光催化材料的制备方法，其特征在于，所述步骤三中，还包括：利用低温等离子体处理仪对得到的Ag掺杂CdSe纳米片光催化材料进行处理1~3min。

6.如权利要求5所述的铀还原分离的Ag掺杂CdSe纳米片光催化材料的制备方法，其特征在于，所述低温等离子体处理仪的气氛为氩气；所述低温等离子体处理仪的频率为35~45KHz，功率为45~60W，气氛的压强为30~45Pa。

7.一种如权利要求1~6任一项所述的制备方法制备的铀还原分离的Ag掺杂CdSe纳米片光催化材料在放射性废水处理中的应用，其特征在于，所述放射性废水为含铀放射性废水。

8.如权利要求7所述的应用，其特征在于，取Ag掺杂CdSe纳米片光催化材料加入含铀放射性废水中，在氙灯模拟太阳光条件下，进行光催化反应，实现含铀放射性废水中六价铀的光催化还原；同时将光催化反应后的光催化剂材料在空气中再氧化48 h后，将光催化剂材料分散到0.1 mol/L KHCO₃溶液中进行洗脱反应，以去除沉积在催化剂上的UO₂，然后水洗，将收集的光催化剂材料干燥后再次循环使用。