[发明专利]一种铌酸锂调制器及其静态偏置点无源补偿方法在审
| 申请号： | 202110777897.9 | 申请日： | 2021-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN113419362A | 公开（公告）日： | 2021-09-21 |
| 发明（设计）人： | 庄池杰;马昕雨;曾嵘;刘向东 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | G02F1/065 | 分类号： | G02F1/065;G02F1/03;G02B6/122;G02B6/125;G02F1/21 |
| 代理公司： | 北京知联天下知识产权代理事务所(普通合伙) 11594 | 代理人： | 张迎新 |
| 地址： | 100084*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 铌酸锂 调制器 及其 静态 偏置 无源 补偿 方法 | ||
1.一种铌酸锂调制器，包括有金属行波电极，其特征在于，还包括有绝缘体上铌酸锂薄膜以及静态偏置点补偿材料层，所述静态偏置点补偿材料层覆盖在绝缘体上铌酸锂薄膜上。
2.根据权利要求1所述的一种铌酸锂调制器，其特征在于，所述绝缘体上铌酸锂薄膜包括有从下至上依次层叠的硅衬底、二氧化硅层、铌酸锂薄膜层，所述静态偏置点补偿材料层覆盖在铌酸锂薄膜层上。
3.根据权利要求2所述的一种铌酸锂调制器，其特征在于，所述铌酸锂薄膜层上设有波导区域。
4.根据权利要求3所述的一种铌酸锂调制器，其特征在于，所述波导区域上刻蚀有脊形波导。
5.根据权利要求4所述的一种铌酸锂调制器，其特征在于，所述静态偏置点补偿材料层覆盖在脊形波导上，所述金属行波电极设在铌酸锂薄膜层上。
6.根据权利要求4所述的一种铌酸锂调制器，其特征在于，所述静态偏置点补偿材料层覆盖在脊形波导上并延伸覆盖至脊形波导外侧的铌酸锂薄膜层上。
7.根据权利要求3所述的一种铌酸锂调制器，其特征在于，所述静态偏置点补偿材料层覆盖在波导区域上。
8.根据权利要求6或7所述的一种铌酸锂调制器，其特征在于，所述金属行波电极设在静态偏置点补偿材料层上。
9.根据权利要求1-7任一项所述的一种铌酸锂调制器，其特征在于，所述静态偏置点补偿材料层的热光系数为负。
10.根据权利要求9所述的一种铌酸锂调制器，其特征在于，所述静态偏置点补偿材料层为二氧化钛薄膜。
11.根据权利要求4-6任一项所述的一种铌酸锂调制器，其特征在于，所述脊形波导包括有两个波导臂以及两个分束器，两个所述分束器通过两个波导臂连接。
12.根据权利要求11所述的一种铌酸锂调制器，其特征在于，所述分束器为Y分支分束器或多模干涉器。
13.一种铌酸锂调制器的静态偏置点无源补偿方法，所述铌酸锂调制器为如权利要求1所述的铌酸锂调制器，所述绝缘体上铌酸锂薄膜包括有从下至上依次层叠的硅衬底、二氧化硅层、铌酸锂薄膜层，其特征在于，所述方法包括有：
通过刻蚀或剥离工艺在铌酸锂薄膜层上覆盖静态偏置点补偿材料层。
14.根据权利要求13所述的一种铌酸锂调制器的静态偏置点无源补偿方法，其特征在于，所述静态偏置点补偿材料层的热光系数为负。
15.根据权利要求13所述的一种铌酸锂调制器的静态偏置点无源补偿方法，其特征在于，所述静态偏置点补偿材料层为二氧化钛薄膜。
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