[发明专利]一种隧穿氧化钝化接触电池、制备方法及设备

权利要求书

1.一种隧穿氧化钝化接触电池的制备方法，其特征在于，包括：

S101：提供N型的硅基底，对所述硅基底清洗后制绒；

S102：在所述硅基底的表面进行硼扩散制备PN结；

S103：去除所述硅基底在硼扩散时背面形成的硼硅玻璃，以及去除扩散至所述硅基底的硼；

S104：采用臭氧水对所述硅基底的背面进行清洗和氧化，形成隧穿氧化层；

S105：在所述隧穿氧化层上制备多晶硅层；

S106：在所述PN结表面制备氧化铝层；

S107：在所述氧化铝层和所述掺杂多晶硅层上制备上氮化硅层和下氮化硅层；

S108：在所述上氮化硅层和所述下氮化硅层上分别制备第一电极和第二电极。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S103，包括：

将所述硅基底背面放入氢氟酸内，去除所述硼硅玻璃；

再将所述硅基底的背面放入硝酸和氢氟酸的混合溶液中，去除所述硅基底的背面，去除的厚度在0.5-1.5μm。

3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S104之后，包括：

将所述步骤S104形成结构放入氮气环境下加热至450-700摄氏度，退火5-30分钟。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S105，包括：

当所述多晶硅层为掺杂多晶硅时，进行退火处理。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S105，包括：

当所述多晶硅层为本征硅时，进行磷扩散。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，进行所述步骤S103和所述步骤S104时，在一台设备或多台设备中完成。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述一台设备或多台设备中均设有第一容纳槽和第二容纳槽，所述第一容纳槽用于盛放所述氢氟酸，所述第二容纳槽用于盛放所述硝酸和氢氟酸的混合溶液。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S101，包括：

将所述硅基底制绒形成金字塔状陷光结构。

9.一种制备隧穿氧化钝化接触电池的设备，其特征在于，所述设备可实施权利要求1-8任一项所述的方法。

10.一种隧穿氧化钝化接触电池，其特征在于，采用权利要求1-8任一项所述的方法的方法制备。