[发明专利]一种并联均流的反激变换器在审
申请号: | 202110779955.1 | 申请日: | 2021-07-09 |
公开(公告)号: | CN113676054A | 公开(公告)日: | 2021-11-19 |
发明(设计)人: | 张艺蒙;孙世凯;郭辉;宋庆文;汤晓燕;张玉明 | 申请(专利权)人: | 西安电子科技大学 |
主分类号: | H02M3/335 | 分类号: | H02M3/335 |
代理公司: | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人: | 刘长春 |
地址: | 710000 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 并联 激变 | ||
1.一种并联均流的反激变换器,其特征在于,包括:反激电路和并联均流电路;
其中,所述并联均流电路包括多个并联的支路,每个支路包括串接的功率器件和电感;每个支路均串接于所述反激电路的副边电路中,所有支路的电感缠绕于同一磁芯上以彼此耦合。
2.根据权利要求1所述的反激变换器,其特征在于,所述副边电路包括一个绕组;所述多个并联的支路均与所述绕组串接。
3.根据权利要求1所述的反激变换器,其特征在于,所述副边电路包括多个绕组,所述多个绕组呈并联关系,每个绕组串接一个所述支路。
4.根据权利要求1所述的反激变换器,其特征在于,所述副边电路包括多个绕组,所述多个绕组呈并联关系,任一绕组串接一个或多个所述支路。
5.根据权利要求1所述的反激变换器,其特征在于,所述功率器件包括:整流二极管。
6.根据权利要去1所述的反激变换器,其特征在于,所述功率器件包括:N型MOSFET或理想二极管;
所述N型MOSFET或所述理想二极管通过源极和漏极串接于所述支路中。
7.根据权利要求1所述的反激变换器,其特征在于,所述反激电路包括:RCD无源钳位电路,或者,有源钳位准谐振变换器。
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