[发明专利]减反膜、电磁波透射结构及减反膜的制备方法

权利要求书

1.一种减反膜，所述减反膜设于第一介质和第二介质的分界面，所述第一介质为电磁波入射介质，所述第二介质为电磁波出射介质，于所述第一介质入射的电磁波为入射电磁波，于所述第二介质出射的电磁波为透射电磁波，所述第一介质和所述第二介质的介电常数不同，其特征在于，

所述减反膜包括：

多个调控单元，排布于所述分界面，每个所述调控单元具有对应的调控参数，以使所述多个调控单元通过共振减少所述入射电磁波在所述分界面上的反射，并使所述透射电磁波于所述分界面的至少部分位置发生不同的相位变化，进而使所述透射电磁波在所述分界面上具有预设的相位分布。

2.根据权利要求1所述的减反膜，其特征在于，所述调控单元的调控参数包括所述调控单元的电磁参数和/或结构参数。

3.根据权利要求1所述的减反膜，其特征在于，所述减反膜的表面包括平面和/或曲面。

4.根据权利要求1所述的减反膜，其特征在于，所述减反膜的厚度小于真空中所述入射电磁波的波长的十分之一。

5.根据权利要求1所述的减反膜，其特征在于，

每个所述调控单元具有对应的第一调控参数，所述透射电磁波于所述分界面发生第一相位变化，所述透射电磁波在所述分界面上具有第一相位分布，所述第一相位分布被配置为使所述透射电磁波的折射角接近或等于所述入射电磁波的入射角。

6.根据权利要求5所述的减反膜，其特征在于，所述入射电磁波具有第一等相位面，与该入射电磁波对应的透射电磁波具有第二等相位面，所述第一相位变化满足下列关系式：

其中，表示所述第一相位变化,表示所述入射电磁波在所述第一等相位面和所述减反膜之间累计的相位差，表示所述透射电磁波在所述减反膜和所述第二等相位面之间累计的相位差，C₁表示所述第一等相位面上的相位，C₂表示所述第二等相位面上的相位，(C₂-C₁)表示所述第一等相位面和所述第二等相位面之间累计的相位差，且(C₂-C₁)为一常数，Φ(x,y,z)表示所述第一相位分布，x,y,z分别表示所述分界面上任意位置的三维直角坐标。

7.根据权利要求1所述的减反膜，其特征在于，每个所述调控单元具有对应的第二调控参数，所述透射电磁波于所述分界面发生第二相位变化，所述透射电磁波在所述分界面上具有第二相位分布，所述第二相位分布被配置为使所述透射电磁波形成负折射。

8.根据权利要求1所述的减反膜，其特征在于，每个所述调控单元具有对应的第三调控参数，所述透射电磁波于所述分界面发生第三相位变化，所述透射电磁波在所述分界面上具有第三相位分布，所述第三相位分布被配置为使所述透射电磁波汇聚。

9.根据权利要求8所述的减反膜，其特征在于，所述第三相位变化满足下列关系式：

其中，表示所述第三相位变化，Φ(x,y)表示所述第三相位分布，表示所述入射电磁波在所述分界面上的相位分布，λ表示所述入射电磁波的波长，x,y分别表示所述分界面上任意位置的横纵坐标，f表示所述透射电磁波形成汇聚时的焦距；

或，

其中，表示所述第三相位变化，Φ(x)表示所述第三相位分布，表示所述入射电磁波在所述分界面上的相位分布，λ表示所述入射电磁波的波长，x表示所述分界面上任意位置的横坐标，x₀表示所述第三相位分布分界点的横坐标，q表示所述透射电磁波于所述分界面发生相位变化的斜率。