[发明专利]半导体封装方法在审
申请号: | 202110781001.4 | 申请日: | 2021-07-09 |
公开(公告)号: | CN113594051A | 公开(公告)日: | 2021-11-02 |
发明(设计)人: | 郜振豪;杨清华;唐兆云;赖志国 | 申请(专利权)人: | 苏州汉天下电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50 |
代理公司: | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人: | 陈红;陈轶兰 |
地址: | 215121 江苏省苏州市苏州工业园区金*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 封装 方法 | ||
一种半导体封装方法,包括:提供基板,包括暴露在阻焊层外的至少一个芯片安装区和芯片安装区周围的多个焊盘区;在基板上贴合保护膜,覆盖至少一个芯片安装区、多个焊盘区和阻焊层;去除部分保护膜,暴露至少一个芯片安装区;在至少一个芯片安装区上涂覆粘结剂,放置芯片,并固化粘结剂;去除剩余的保护膜,暴露多个焊盘区;在多个焊盘区执行引线键合。依照本发明的半导体封装方法,在涂覆粘结剂之前贴合保护膜覆盖焊盘区,有效地避免粘结剂溢出到基板上的键合焊盘区,提高产品制程和良率。
技术领域
本发明涉及一种半导体封装方法,特别是一种能够防止粘结剂溢出影响焊盘连接可靠性的半导体封装方法。
背景技术
微电子技术的迅猛发展,集成电路复杂度的增加,一个电子系统的大部分功能都可能集成在一个单芯片内(即片上系统),这就相应地要求微电子封装具有更高的性能、更多的引线、更密的内连线、更小的尺寸或更大的芯片腔、更大的热耗散功能、更好的电性能、更高的可靠性、更低的单个引线成本等。
一般而言,半导体工序可分为二个阶段,其中第一阶段为圆片(Wafer)工序,而第二阶段则为封装测试。随着半导体技术的日新月异,圆片工序技术亦不断改良,以满足半导体产业的需求。另一方面,由于圆片工序技术的不断改良,传统的封装测试技术亦逐渐受到市场淘汰,使得封装测试技术亦推陈出新,以应付半导体产业的变化。
进一步言,封装测试技术可归类为封装阶段以及测试阶段,其中封装阶段主要提供产品保护、散热及电路导通等功能,而测试阶段则是检测所产品的功能是否正常。由于封装阶段的优劣对于半导体工序的品质及后续的应用层面影响甚大,也因此应用于封装阶段的封装技术常常随着半导体市场的趋势而有所改变,造成市场上发展出许多不同的封装技术,例如倒装芯片封装(FlipChipPackage)、堆叠芯片封装(StackedDiePackage)、芯片尺寸封装(ChipScalePackage)等等。
在器件的生产封装过程中,芯片焊接是封装过程中的重点控制工序。此工艺的目的是将芯片通过液态环氧树脂涂点在封装基板上,使芯片与封装基板形成良好的欧姆接触和散热通路。
然而,在制造过程中通常环氧树脂的粘结剂液在点涂基板键合焊盘时易出现树脂液点涂过量或不均匀,造成树脂液溢出到基板阻焊开窗影响了后续引线键合作业品质及良率。
发明内容
因此,本发明的目的在于克服以上技术障碍而提供一种能有效地避免粘结剂溢出到基板上的键合焊盘区、提高产品制程和良率的半导体封装方法。
本发明提供了一种半导体封装方法,包括:
提供基板,包括暴露在阻焊层外的至少一个芯片安装区和芯片安装区周围的多个焊盘区;
在基板上形成保护膜,覆盖至少一个芯片安装区、多个焊盘区和阻焊层;
去除部分保护膜,暴露至少一个芯片安装区;
在至少一个芯片安装区上涂覆粘结剂,放置芯片,并固化粘结剂;
去除剩余的保护膜,暴露多个焊盘区;
在多个焊盘区执行引线键合。
其中,基板是有机载板、无机载板、载带封装基板或引线框架;保护膜是DAF膜、光敏树脂或热敏树脂;粘结剂是导电胶或非导电胶。其中,光敏树脂是UV膜或蓝膜,非导电胶是环氧树脂胶或玻璃胶。
其中,去除剩余的保护膜的步骤在放置芯片之后、固化粘结剂之前进行。
其中,保护膜的厚度为大于0且小于等于100微米。
其中,去除部分保护膜的步骤和/或去除剩余的保护膜的步骤采用机械冲压、激光剥离、UV光照、电子束照射或红外线照射。
其中,在至少一个芯片安装区的边界上局部地增大保护膜的厚度而形成挡堤。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造