[发明专利]半导体结构的制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制造方法，包括：

形成一复合基底，其包括一基底、位于该基底上的一第一半导体层、位于该第一半导体层上的一第二半导体层、位于该第二半导体层上的一第三半导体层以及位于该第三半导体层上的一第四半导体层；

自该第四半导体层形成一鳍部结构；

形成一虚置栅极堆叠于该鳍部结构的一通道区上；

凹陷该鳍部结构的一源极区及一漏极区，以形成一源极开口及一漏极开口，该通道区设置于该源极区与该漏极区之间；

选择性蚀刻该鳍部结构的该源极区，以延伸该源极开口穿过该第三半导体层而形成的一延伸源极开口；

选择性形成一半导体插塞于该延伸源极开口内；

平坦化该复合基底，以去除该基底、该第一半导体层及该第二半导体层而露出该半导体插塞；

在平坦化之后，以一介电层取代该第三半导体层；以及

以一背侧源极接点取代该半导体插塞。