[发明专利]半导体装置的形成方法

权利要求书

1.一种半导体装置的形成方法，包括：

形成一半导体鳍状物于一基板上；

形成多个间隔物于该半导体鳍状物上，其中所述间隔物形成一沟槽于该半导体鳍状物上；

沉积一高介电常数的介电层于该沟槽中；

在一制程工具中形成一盖层于该高介电常数的介电层上；

对该盖层进行一退火制程；

移除该盖层以露出该高介电常数的介电层；以及

形成一金属栅极于该高介电常数的介电层上。

2.如权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其中，形成该盖层于该高介电常数的介电层上的步骤包括：

在该制程工具中沉积一高介电常数的盖材料于该高介电常数的介电层上；以及

将一制程气体通入该制程工具的该高介电常数的盖材料的上表面上，以形成该盖层。

3.如权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其中，移除该盖层的步骤包括一仅湿式蚀刻制程。

4.如权利要求1所述的半导体装置的形成方法，还包括：在移除该盖层之后对该高介电常数的介电层进行另一退火制程。

5.一种半导体装置的形成方法，包括：

形成一半导体鳍状物于一基板上；

形成多个间隔物于该半导体鳍状物上，其中所述间隔物形成一沟槽于该半导体鳍状物上；

形成一界面层于该沟槽中；

沉积一高介电常数的介电层于该界面层上；

对该高介电常数的介电层进行一退火制程；

在一制程工具中形成一盖层于该高介电常数的介电层上；

对该盖层进行另一退火制程；

移除该盖层以露出该高介电常数的介电层；以及

形成一金属栅极于该高介电常数的介电层上。

6.如权利要求5所述的半导体装置的形成方法，还包括：在沉积该高介电常数的介电层之前，对该界面层进行又一退火制程。

7.如权利要求5所述的半导体装置的形成方法，其中，形成该盖层于该高介电常数的介电层上的步骤包括：

在该制程工具中沉积一高介电常数的盖材料于该高介电常数的介电层上；以及

将一制程气体通入该制程工具中的该高介电常数的盖材料的顶部，以形成该盖层。

8.一种半导体装置的形成方法，包括：

形成一半导体鳍状物于一基板上；

形成多个间隔物于该半导体鳍状物上，其中所述间隔物形成一沟槽于该半导体鳍状物上；

沉积一高介电常数的介电层于该沟槽中；

沉积一高介电常数的盖材料于该高介电常数的介电层上；

将一制程气体通入该高介电常数的盖材料的上表面上，以形成一盖层；

对该盖层进行一退火制程；

移除该盖层以露出该高介电常数的介电层；以及

形成一金属栅极于该高介电常数的介电层上。

9.如权利要求8所述的半导体装置的形成方法，还包括：对该高介电常数的介电层进行另一退火制程。

10.如权利要求8所述的半导体装置的形成方法，其中，沉积该高介电常数的盖材料于该高介电常数的介电层上的步骤，以及将该制程气体通入该高介电常数的盖材料的上表面上的步骤，是进行于一相同工具中。