[发明专利]界面激基复合物敏化钙钛矿量子点发光二极管及其制备方法

权利要求书

1.界面激基复合物敏化钙钛矿量子点发光二极管，其特征在于，包括依次层叠的空穴传输层、钙钛矿量子点发光层和电子传输层；其中，空穴传输层包含空穴传输聚合物材料，电子传输层包含电子传输小分子材料，部分电子传输小分子材料穿过所述钙钛矿量子点发光层到达所述空穴传输层与所述钙钛矿量子点发光层的界面与部分所述空穴传输聚合物材料形成界面激基复合物，所述界面激基复合物增强所述钙钛矿量子点发光层发光。

2.界面激基复合物敏化钙钛矿量子点发光二极管，其特征在于，包括依次层叠的透明阳极、空穴注入层、空穴传输层、钙钛矿量子点发光层、电子传输层、电子注入层和阴极；其中，空穴传输层包含空穴传输聚合物材料，电子传输层包含电子传输小分子材料，部分电子传输小分子材料穿过所述钙钛矿量子点发光层到达所述空穴传输层与所述钙钛矿量子点发光层的界面与部分所述空穴传输聚合物材料形成界面激基复合物，所述界面激基复合物增强所述钙钛矿量子点发光层发光。

3.根据权利要求1或2的所述钙钛矿量子点发光二极管，其特征在于，所述界面激基复合物是小分子2,2′-(1,3-苯基)二[5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑](OXD-7)电子传输材料与聚[双(4-苯基)(4-丁基苯基)胺](Poly-TPD)空穴传输材料形成的OXD-7/Poly-TPD界面激基复合物、小分子OXD-7电子传输材料与聚乙烯基咔唑(PVK)空穴传输材料形成的OXD-7/PVK界面激基复合物、小分子OXD-7电子传输材料与聚[(9,9-二正辛基芴基-2,7-二基)-alt-(4,4′-(N-(4-正丁基)苯基)-二苯胺)](TFB)空穴传输材料形成的OXD-7/TFB界面激基复合物或小分子2,4,6-三(1,1′-联苯基)-1,3,5-三嗪(T2T)电子传输材料与PVK空穴传输材料形成的T2T/PVK界面激基复合物。

4.根据权利要求1或2的所述钙钛矿量子点发光二极管，其特征在于，所述电子传输小分子材料至少包含小分子OXD-7和小分子T2T中的一种，其中所述小分子OXD-7或小分子T2T邻接所述钙钛矿量子点发光层。

5.根据权利要求4的所述钙钛矿量子点发光二极管，其特征在于，所述电子传输层选用小分子OXD-7/TPBi双电子传输层。

6.根据权利要求2的所述钙钛矿量子点发光二极管，其特征在于，所述空穴注入层选用聚乙撑二氧噻吩-聚(苯乙烯磺酸盐)(PEDOT:PSS)薄膜，厚度为40～60nm。

7.根据权利要求2的所述钙钛矿量子点发光二极管，其特征在于，所述电子注入层选用无机单层材料或有机/无机杂合双层材料，有机材料选用1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)，其厚度为20～30nm；无机材料选用氟化锂(LiF)或氟化铯(CsF)，其厚度为1nm。

8.根据权利要求1、2、5至7任一项的所述钙钛矿量子点发光二极管，其特征在于，所述钙钛矿量子点发光层的厚度为20～40nm；所述空穴传输层的厚度为10～40nm。

9.根据权利要求1、2、5至7任一项的所述钙钛矿量子点发光二极管，其特征在于，还包括透明衬底，所述透明衬底靠近所述空穴传输层，所述透明衬底选用玻璃衬底、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)衬底、聚醚砜树脂(PES)衬底、聚对苯二甲酸乙二醇脂(PET)衬底、聚碳酸脂(PC)衬底、聚二甲基硅氧烷(PDMS)衬底、聚酰亚胺(PI)衬底、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)衬底和金属箔片衬底中的一种或多种；所述透明阳极选用铟掺杂氧化锡(ITO)、氟掺杂氧化锡(FTO)、锑掺杂氧化锡(ATO)、铝掺杂氧化锌(AZO)、金属-半导体-金属结构电极、金属纳米线阳极以及石墨烯和碳纳米管薄膜中的一种或多种。

10.根据权利要求1、2、5至7任一项的所述钙钛矿量子点发光二极管，其特征在于，所述电子传输层选用热蒸镀工艺或旋涂工艺形成在钙钛矿量子点发光层上；所述空穴传输层选用旋涂工艺形成。