[发明专利]一种包括垂直导电柱结构的三维半导体层叠封装结构

权利要求书

1.一种包括垂直导电柱结构的三维半导体层叠封装结构，包括：底层封装模块和顶层封装模块，上述底层封装模块和上述顶层封装模块通过第一BGA焊球进行焊接，其中顶层封装模块包括顶层基板，设置在上述顶层基板上的第二芯片，上述第二芯片通过第三BGA焊球倒装于顶层基板上，上述第二芯片通过第二塑封材料进行密封保护，其中底层封装模块包括底层基板、第一芯片、铜柱和屏蔽模组，其中第一芯片通过第二BGA焊球焊接在上述底层基板上，上述第一芯片通过第一塑封材料进行密封保护，上述底层基板通过第四BGA焊球与印刷电路板上对应的电路进行焊接，上述屏蔽模组通过导电粘结材料粘接在上述底层基板上，并且上述屏蔽模组包括与上述底层基板相齐平的侧壁，其特征在于：在上述屏蔽模组顶表面上设置有与上述铜柱尺寸相匹配的通孔，在上述通孔内侧壁上设置有绝缘材料，且绝缘材料具有一定的弹性形变能力的高熔融温度的材料，能够根据上述铜柱的直径进行相应的形变，进而使得上述铜柱能够被上述屏蔽模组进行固定，并且上述熔融温度高于第一塑封材料的固化温度，上述铜柱通过导电粘结材料与上述底层基板进行电连接，上述底层封装模块和上述顶层封装模块通过穿透屏蔽模组的上述铜柱、上述第一BGA焊球进行电性互连。

2.根据权利要求1所述的一种包括垂直导电柱结构的三维半导体层叠封装结构，其特征在于：在上述屏蔽模组的顶层的对应上述第一芯片的表面覆盖有一粘结材料，上述绝缘材料通过上述粘结材料进行固定。

3.根据权利要求1所述的一种包括垂直导电柱结构的三维半导体层叠封装结构，其特征在于：上述BGA焊球的材料为焊锡材料。

4.根据权利要求1所述的一种包括垂直导电柱结构的三维半导体层叠封装结构，其特征在于：上述屏蔽模组顶表面上设置有与上述铜柱尺寸相匹配的上述通孔，上述通孔通过激光钻孔或机械钻孔形成。

5.根据权利要求1所述的一种包括垂直导电柱结构的三维半导体层叠封装结构，其特征在于：上述通孔内设置的绝缘材料为硅胶材料。

6.根据权利要求1所述的一种包括垂直导电柱结构的三维半导体层叠封装结构，其特征在于：上述屏蔽模组为金属材料，且上述屏蔽模组与上述底层基板上的地线进行电连接。

7.根据权利要求2所述的一种包括垂直导电柱结构的三维半导体层叠封装结构，其特征在于：所述粘结材料为聚酰亚胺。

8.根据权利要求1所述的一种包括垂直导电柱结构的三维半导体层叠封装结构，其特征在于：在屏蔽模组的顶部表面设置有穿透其上部的通孔，上述通孔用以向第一芯片注入第一塑封材料，在注入完第一塑封材料后在上述通孔中形成第三塑封材料。

9.根据权利要求8所述的一种包括垂直导电柱结构的三维半导体层叠封装结构，其特征在于：其中第三塑封材料与上述第一塑封材料材料相同，且均为环氧树脂。