[发明专利]一种提升压力传感器用敏感元件阻抗特性的方法

权利要求书

1.一种提升压力传感器用敏感元件阻抗特性的方法，其特征在于：包括步骤：

(1)设置多组压电晶片测试组，各组压电晶片测试组中的压电晶片的上下表面粗糙度和侧面粗糙度均不完全相同；

(2)将上下表面粗糙度不同但侧面粗糙度相同的压电晶片作为对照组，在相同的压力和相同的测试电压下对对照组进行阻抗检测，获得对照组中的所有压电晶片的阻抗值；

(3)将上下表面粗糙度相同但侧面粗糙度不同的压电晶片作为对照组，在相同的压力和相同的测试电压下对对照组进行阻抗检测，获得对照组中的所有压电晶片的阻抗值；

(4)获得上下表面粗糙度和侧面粗糙度与压电晶片的关系，并获得符合预期值的压电晶片的上下表面粗糙度和侧面粗糙度。

2.根据权利要求1所述的一种提升压力传感器用敏感元件阻抗特性的方法，其特征在于：所述压电晶片测试组包括设置在压电晶片上下侧面的电极带、设置在电极带外侧的绝缘带、设置在绝缘带外侧的标准块和阻抗仪，阻抗仪的接线端子分别与两个电极带连接，标准块在外部压力的情况下将受力均匀地传递至最中央的压电晶片上，阻抗仪通过端子输出250V测试电压。

3.根据权利要求1所述的一种提升压力传感器用敏感元件阻抗特性的方法，其特征在于：所述压电晶片为圆形或者方形，所述压电晶片的顶面、底面和侧面的粗糙度均小于350nm；圆形压电晶片的直径范围在6mm-15mm之间，厚度范围在0.8mm-5mm之间；方形压电晶片的边长范围在6mm-30mm之间，厚度范围在1mm-5mm之间，所述压电晶片的侧边经过倒角处理，所述压电晶片的上下表面为受力面。

4.根据权利要求1所述的一种提升压力传感器用敏感元件阻抗特性的方法，其特征在于：符合预期的所述压电晶片的上下表面的粗糙度在190nm-250nm之间，侧面的粗糙度在600nm-720nm之间时，所述压电晶片受特定压力且在250V电压下的阻抗在700MΩ-5GΩ之间。

5.根据权利要求1所述的一种提升压力传感器用敏感元件阻抗特性的方法，其特征在于：符合预期的所述压电晶片的上下表面的粗糙度在190nm-250nm之间，侧面的粗糙度在350nm-500nm之间时，所述压电晶片受特定压力且在250V电压下的阻抗在1GΩ-5GΩ之间。

6.根据权利要求1所述的一种提升压力传感器用敏感元件阻抗特性的方法，其特征在于：符合预期的所述压电晶片的上下表面的粗糙度小于10nm，侧面的粗糙度在600nm-720nm之间时，所述压电晶片受特定压力且在250V电压下的阻抗在900mΩ-5GΩ之间。

7.根据权利要求1所述的一种提升压力传感器用敏感元件阻抗特性的方法，其特征在于：符合预期的所述压电晶片的上下表面的粗糙度在190nm-250nm之间，侧面的粗糙度小于等于200nm之间时，压电晶片受特定压力且在250V电压下的阻抗大于等于10GΩ。

8.根据权利要求1所述的一种提升压力传感器用敏感元件阻抗特性的方法，其特征在于：符合预期的所述压电晶片的上下表面的粗糙度小于等于10nm，侧面的粗糙度在200nm-350nm之间时，所述压电晶片受特定压力且在250V电压下的阻抗大于等于8GΩ。

9.根据权利要求1所述的一种提升压力传感器用敏感元件阻抗特性的方法，其特征在于：符合预期的所述压电晶片的上下表面的粗糙度小于等于10nm，侧面的粗糙度小于200nm时，所述压电晶片受特定压力且在250V电压下的阻抗大于等于12GΩ。