[发明专利]半导体处理装置

权利要求书

1.一种半导体处理装置，其特征在于，包括：

第一承载板，具有用于承载晶圆的第一承载区；

对准结构，包括发射器和接收器，在沿平行于所述第一承载板表面的方向上，所述发射器和所述接收器分布于所述第一承载区的相对两外侧，所述发射器用于向所述接收器发射检测信号，所述接收器用于检测是否接收到所述检测信号，若否，则确认所述晶圆的位置与所述第一承载区未对准。

2.根据权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于，所述发射器和所述接收器的数量均为多个，且多个所述发射器与多个所述接收器一一对准。

3.根据权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于，所述检测信号为光信号。

4.根据权利要求3所述的半导体处理装置，其特征在于，所述光信号为激光信号或者红外光信号。

5.根据权利要求3所述的半导体处理装置，其特征在于，还包括：

第二承载板，具有用于承载所述晶圆的第二承载区，且所述第二承载板与所述第一承载板沿第一方向平行分布，所述第一方向平行于所述第一承载板的表面；

所述发射器位于所述第二承载板上、且所述接收器位于所述第一承载板上；或者，所述发射器位于所述第一承载板上、且所述接收器位于所述第二承载板上。

6.根据权利要求5所述的半导体处理装置，其特征在于，所述发射器位于所述第二承载板远离所述第一承载板一侧的边缘位置，所述接收器位于所述第一承载板远离所述第二承载板一侧的边缘。

7.根据权利要求5所述的半导体处理装置，其特征在于，所述发射器的数量为两个，且两个所述发射器沿第二方向分布于所述第二承载板上的相对两侧，所述第二方向为平行于所述第一承载板的表面且与所述第一方向相交的方向；

所述接收器的数量为两个，且两个所述接收器沿所述第二方向分布于所述第一承载板上的相对两侧，两个所述发射器与两个所述接收器一一对准。

8.根据权利要求5所述的半导体处理装置，其特征在于，所述第二承载板为热板，所述热板用于对曝光后的所述晶圆进行烘烤；

所述第一承载板为冷板，所述冷板用于对烘烤后的所述晶圆进行冷却。

9.根据权利要求8所述的半导体处理装置，其特征在于，还包括：

传输结构，用于将所述晶圆自所述第二承载板传输至所述第一承载板，并根据所述对准结构的对准结果调整所述晶圆在所述第一承载板上的位置。

10.根据权利要求3所述的半导体处理装置，其特征在于，所述光信号的传播路径的投影与所述第一承载板的边缘重合。

11.根据权利要求3所述的半导体处理装置，其特征在于，所述光信号的传播路径的投影位于所述第一承载板内，且与所述第一承载区的边缘相切。

12.根据权利要求3所述的半导体处理装置，其特征在于，所述光信号的传播路径的投影位于所述第一承载板内，且与所述第一承载区之间具有间隙。

13.根据权利要求3所述的半导体处理装置，其特征在于，所述发射器和所述接收器均位于所述第一承载板上。

14.根据权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于，所述对准结构还包括：

控制器，用于调整所述发射器发射所述检测信号的频率和/或所述接收器接收所述检测信号的频率。

15.根据权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于，还包括：

环形温度计，位于所述第一承载区中，用于测量位于所述第一承载区中的所述晶圆的温度。