[发明专利]比较器电路、图像传感器

权利要求书

1.一种比较器电路，其特征在于，所述比较器电路包括电流镜单元、第一NMOS管、第二NMOS管、第一电容、第二电容、第一开关、第二开关和电流源；

其中，所述电流镜单元的输入端与所述第一NMOS管的源极连接，所述电流镜单元的输出端与所述第二NMOS管的源极连接；

所述第一NMOS管的漏极和第二NMOS管的漏极连接所述电流源的输出端；

所述第一NMOS管的栅极连接所述第一电容接收斜坡电压信号；

所述第二NMOS管的栅极通过所述第二电容接收外部输入电压；

所述第一开关的一端和所述第一NMOS管的源极连接，所述第一开关的另一端和所述第一NMOS管的栅极连接；

所述第二开关的一端和所述第二NMOS管的源极连接，所述第二开关的另一端和所述第二NMOS管的栅极连接。

2.根据权利要求1所述的比较器电路，其特征在于，所述电流镜单元包括第一负载管和第二负载管，所述第一负载管和所述第二负载管采用N型硅栅结构。

3.根据权利要求1或2所述的比较器电路，其特征在于，所述比较器电路还包括第三电容和第四电容，所述第三电容的一端与所述第一NMOS管的栅极连接，所述第三电容的另一端接收第一调节电压；

所述第四电容的一端与所述第二NMOS管的栅极连接，所述第四电容的另一端接收所述第一调节电压。

4.根据权利要求3所述的比较器电路，其特征在于，在初始化所述比较器电路时，控制所述第一开关和所述第二开关闭合，将所述斜坡电压信号的失调电压存储于所述第一电容和第三电容中。

5.根据权利要求4所述的比较器电路，其特征在于，在初始化所述比较器电路之后，降低所述第一调节电压，所述第一调节电压的降低量以ΔV_cm表示，所述比较器电路的初始化共模电压的降低量采用以下公式表示：

其中，ΔV为所述比较器电路的初始化共模电压的变化量，C₁为所述第一电容的容值，C₃为所述第三电容的容值。

6.一种比较器电路，其特征在于，所述比较器电路包括电流镜单元、第一NMOS管、第二NMOS管、第一电容、第二电容、第一开关、第二开关和电流源；

其中，所述电流镜单元的输入端与所述第一NMOS管的源极连接，所述电流镜单元的输出端与所述第二NMOS管的源极连接；

所述第一NMOS管的漏极和第二NMOS管的漏极连接所述电流源的输出端；

所述第一NMOS管的栅极连接所述第一电容接收斜坡电压信号；

所述第二NMOS管的栅极通过所述第二电容接收外部输入电压；

所述第一开关的一端和所述第一NMOS管的栅极连接，所述第一开关的另一端和第二调节电压连接；

所述第二开关的一端和所述第二NMOS管的栅极连接，所述第二开关的另一端和所述第二NMOS管的源极连接。

7.根据权利要求6所述的比较器电路，其特征在于，所述电流镜单元包括第一负载管和第二负载管，所述第一负载管和所述第二负载管采用N型硅栅结构。

8.根据权利要求6或7所述的比较器电路，其特征在于，所述比较器电路的电流镜单元的电源端接收第一电源电压，所述第二调节电压经过串联的一个或多个二极管接收所述第一电源电压。

9.根据权利要求8所述的比较器电路，其特征在于，还包括偏置管，所述第二调节电压与所述偏置管的漏极连接，所述偏置管的栅极与第三调节电压连接，所述偏置管的源极接收第二电源电压。

10.根据权利要求9所述的比较器电路，其特征在于，所述偏置管的大小等于第一NMOS管的大小且等于第二NMOS管的大小。

11.根据权利要求8所述的比较器电路，其特征在于，所述二极管为2个，靠近所述第二调节电压的一个二极管的大小等于第一负载管的大小且等于第二负载管的大小。

12.一种图像传感器，所述图像传感器包括像素电路、可编程增益放大器、列模数转换器，所述可编程增益放大器的一端与所述像素电路连接，所述可编程增益放大器的另一端与所述列模数转换器连接，其特征在于，所述列模数转换器包括如权利要求1至5任一所述的比较器电路，或者，所述列模数转换器包括如权利要求6至11任一所述的比较器电路。