[发明专利]基板处理装置及基板处理方法

说明书

本发明构思提供了一种基板处理装置及基板处理方法。具体地，提供了一种用于通过使用超临界流体处理基板的装置和方法。在一实施方案中，该装置可以包括：工艺腔室，该工艺腔室提供处理空间并且包括增加处理空间的内部温度的腔室加热器；基板支承件，该基板支承件提供在处理空间中并且支承基板；以及基板加热构件，该基板加热构件在接触基板的下表面的情况下加热基板的下表面。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2020年7月10日提交韩国知识局的、申请号为10-2020-0085276的韩国专利申请的优先权和权益，其全部内容通过引用结合在本申请中。

技术领域

在本文中描述的本发明构思的实施方案涉及一种基板处理装置及基板处理方法。

背景技术

随着集成电路设备的设计规则的降低，半导体设备的临界尺寸约为20nm或30nm或更小，因此，需要用于形成具有约5以上的相对高深宽比(aspect ratio)的深且窄的图案的工艺，以及随后的清洁和干燥工艺。已经提出了当在具有高深宽比的结构的基板上执行特定处理工艺(例如蚀刻、清洁和干燥)时使用超临界流体的方法。

在使用超临界流体的干燥方法中，当工艺腔室的内部满足高温和高压条件时，可以实现异丙醇(IPA)和二氧化碳(CO₂)的单相，在基板(例如，晶片)上形成液膜的IPA从该液膜的表面开始逐渐反应并且被干燥。

根据常规技术，在热量没有被直接施加至基板的情况下，随着高温的CO₂被注入，基板的温度升高，然后基板上的所有IPA可能不会被替换并且部分被留下，使得在反应时间不足或供应的CO₂量不足时，可能出现干燥错误。

再者，根据常规技术，通过使用常温的IPA在基板上形成液膜之后，基板被引入至工艺腔室中。然后，当将引入至工艺腔室中的基板安置在支承基板的支承件上之后、关闭工艺腔室以开始工艺时，基板可以原样位于支承件上、或者可以安置在结构的销上，该结构的销安装在工艺腔室的下部。基板与工艺腔室的上侧以及与安装在工艺腔室的下部的结构的上表面间隔开，以保持基板处于不直接从热源接收热量的状态。为了使IPA和CO₂的混合流体处于单相，温度必须为80℃以上和压力必须为108bar以上，并且由于IPA不直接接收热量，因此将具有液膜的基板上形成的、室温的IPA的温度升高需要花费很多时间。

发明内容

本发明构思的实施方案提供一种基板处理装置及基板处理方法，该基板处理装置可以有效地处理基板。

本发明构思的实施方案提供一种基板处理装置及基板处理方法，该基板处理装置可以进一步改善干燥基板时的倾斜现象。

本发明构思的实施方案提供了一种基板处理装置及基板处理方法，该基板处理装置可以更迅速地增加防干燥液体的温度、以减少用于基板达到超临界相的时间段，并且当通过超临界流体处理基板时、可以改善每小时每台机器的产量(unit per equipmenthour,UPEH)。

本发明构思的实施方案提供一种基板处理装置及基板处理方法，当基板具有高深宽比的图案时、该基板处理装置可以更有效地去除防干燥液体。

本发明构思的方面不限于此，本领域技术人员可以从以下描述中清楚地理解本发明的其他未提及的方面。

本发明构思提供了一种用于通过使用超临界流体处理基板的装置。在一实施方案中，该装置可以包括：工艺腔室，该工艺腔室提供处理空间并包括增加处理空间的内部温度的腔室加热器；基板支承件，该基板支承件提供在处理空间中并且支承基板；以及基板加热构件，该基板加热构件在接触基板的下表面的情况下加热基板的下表面。

在一实施方案中，可以用防干燥液体(drying preventing liquid)在通过使用超临界流体处理的基板上形成液膜。