[发明专利]一种柔性太阳能电池及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种柔性太阳能电池的制备方法，其特征在于，

具体过程为：

D1.在厚度200μm的PET层的一侧，采用纳米压印技术，形成褶皱区，所述褶皱区作为透镜使用，可改变光的传播路径；

D2.在所述PET层的另一侧，旋涂型号为L300的负性光刻胶，并进行曝光及显影形成导电体的图案，然后采用物理沉积方法，自所述PET层开始，依次沉积厚为50nm的Ti层、厚为50nm的Pt层、厚为500nm的Au层和厚为500nm的Sn层，形成所述导电体；并预留引线的设置位置，所述引线连接所述导电体，形成电路图案；去除本步骤所用光刻胶后，形成图形化衬底；

D3.在GaAs衬底表面，依次生长InGaAs层、GaInP层得到GaAs衬底和外延层的复合结构；并在所述GaInP层表面生长一层接触层，所述接触层材质为GaAs；

D4.在步骤D3所得结构的所述外延层表面，旋涂型号为L300的负性光刻胶，并进行曝光及显影形成第一电极的图案，然后采用物理沉积方法，自所述外延层开始，依次沉积厚为50nm的Ti层、厚为50nm的Pt层和厚为1000nm的Au层，去除本步骤所用光刻胶后，形成所述第一电极；

D5.在步骤D4所得部件，所述外延层一侧表面上，旋涂型号为AZ4620的正性光刻胶，并进行曝光及显影形成既定图案，然后采用ICP干蚀刻方法，垂直于外延层的最大面，形成沟槽结构，所述沟槽深度至GaAs衬底；通过去胶后，形成阵列化外延层；

D6.以磷酸和双氧水的混合水溶液为腐蚀液，除所述第一电极的设置区域外，去除所述接触层；

D7.在步骤D6所得部件，所述外延层一侧表面，采用物理沉积方法以此沉积厚为20nm的SiO₂层和厚为80nm的MgF₂层，上述两层结构形成介质膜，作用是降低电池的表面的反射率；

D8.在步骤D7所得部件，所述介质膜所在一侧表面，旋涂型号为AZ4620的正性光刻胶，并进行曝光及显影形成既定图案，然后采用ICP干蚀刻方法，在上述介质膜上形成通孔，露出所述第一电极；

D9.将步骤D8所得部件与步骤D2所得部件进行键合，键合点为所述第一电极和所述导电体，键合温度200℃，压力10000N，形成中间结构，该中间结构上表面为所述PET层，下表面为所述GaAs衬底；

D10.采用溶液腐蚀的方法，将步骤D9所得部件的所述GaAs衬底腐蚀掉，腐蚀液为，浓度为85wt％的磷酸、浓度为30wt％的双氧水和水按照1:3:1的体积比配置的混合溶液；

D11.在步骤D10所得部件，远离所述图形化衬底一侧表面，采用低温化学沉积方法，沉积一层厚度为400nm的SiNx绝缘结构；

D12.在步骤D11所得部件远离所述图形化衬底一侧表面，旋涂型号为AZ4620的正性光刻胶，并进行曝光及显影形成既定图案，然后采用湿法腐蚀的方法，在所述绝缘结构上形成通孔，露出所述外延层，本步骤采用的腐蚀液为氟化铵溶液，去除本步骤所用光刻胶；

D13.在步骤D12所得部件远离所述图形化衬底一侧表面，旋涂型号为L300的负性光刻胶，并进行曝光及显影形成既定图案，然后采用物理沉积方法沉积形成第二电极，具体的，所述第二电极为自外延层开始，依次设置的厚为50nm的Ti层、厚为50nm的Pt层和厚为1000nm的Au层；通过剥离去胶后，即得所述柔性太阳能电池。