[发明专利]一种氮化铝兰姆波谐振器的制作方法

权利要求书

1.一种氮化铝兰姆波谐振器的制作方法，其特征在于：包括如下步骤：

S1、刻蚀硅片(1)上表面产生中部内凹的释放腔(3)，采用热氧方法在具有释放腔(3)的硅片上表面生长二氧化硅薄膜作为钝化层(2)；

S2、使用低压化学气相沉积(LPCVD)方法于硅片(1)的上表面淀积材料为多晶硅的牺牲层(4)至充满具有钝化层(2)的释放腔(3)，

S3、再刻蚀方法移除释放腔(3)外周部的牺牲层(4)至露出钝化层(2)，再使用化学机械抛光(CMP)方法平坦化硅片(1)的上表面；及

于所述平坦化后的上表面制作谐振振子的步骤。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

S1中刻蚀形成释放腔(3)采用反应离子刻蚀(RIE)；

S3中刻蚀移除释放腔(3)外周部的牺牲层(4)至露出钝化层(2)采用反应离子刻蚀(RIE)；

S3中平坦化至释放腔(3)边界处的高度差应小于45nm。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述制作谐振振子的步骤包括：

S4、于所述平坦化后的上表面淀积氮化铝种子层(5)，再淀积底电极材料层，再图案化形成底电极(6)；

S5、在具有底电极(6)的硅片上表面淀积氮化铝压电层(7)，在氮化铝压电层(7)上表面生长顶电极材料层再图案化剥离形成顶电极(8)；

S7、图案化氮化铝压电层(7)，刻蚀形成若干释放槽(11)贯穿氮化铝压电层(7)与氮化铝种子层(5)至牺牲层(4)，若干释放槽(11)围成的图形为预制备谐振振子区域；

S8、通过释放槽(11)气相腐蚀清除释放腔(3)内的牺牲层(4)形成空气反射腔，释放谐振振子实现器件的制备。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，包括如下步骤：所述制作谐振振子的步骤的还包括S5之后的S6、刻蚀氮化铝压电层(7)至底电极(6)形成底电极开孔(9)；顶电极(8)、底电极开孔(9)分别沉积电极焊盘材料层，并分别剥离形成顶电极表面焊盘和底电极表面焊盘。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，S4中图案化底电极材料层，保留底电极电路区域、底电极电学互连区域及物理并电学连接底电极电路区域和底电极电学互连区域的第一横向支撑部；底电极电路区域在释放腔(3)所在面的投影位于释放腔(3)内部，底电极电学互连区域在释放腔(3)所在面的投影位于释放腔(3)外部。

6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，S4中淀积底电极材料层采用磁控溅射方法；图案化形成底电极(6)采用反应离子刻蚀(RIE)的方法。

7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，

S5中在氮化铝压电层(7)上表面生长顶电极材料层并图案化时，保留顶电极(8)的顶电极电路区域、顶电极电学互连区域及物理与电学连接顶电极电路区域、顶电极电学互连区域的第二横向支撑部；顶电极电路区域在释放腔(3)所在面的投影位于释放腔(3)内部，顶电极电学互连区域在释放腔(3)所在面的投影位于释放腔(3)的外部。

8.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，

S5中在具有底电极(6)的硅片上表面淀积氮化铝压电层(7)采用磁控溅射方法；

S5中在氮化铝压电层(7)上表面生长顶电极材料层前先在氮化铝压电层(7)上表面离子束溅射的方法沉积黏附层；

所述黏附层材料为钛(Ti)。