[发明专利]适用于X射线成像的全光分幅系统在审
申请号: | 202110788581.X | 申请日: | 2021-07-13 |
公开(公告)号: | CN113514484A | 公开(公告)日: | 2021-10-19 |
发明(设计)人: | 徐涛;刘祥明;王峰;理玉龙;彭晓世;宋英林;杨俊义;魏惠月;关赞洋;任宽 | 申请(专利权)人: | 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 |
主分类号: | G01N23/083 | 分类号: | G01N23/083;G01N23/04 |
代理公司: | 重庆为信知识产权代理事务所(普通合伙) 50216 | 代理人: | 蔡冬彦 |
地址: | 621900 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 适用于 射线 成像 全光分幅 系统 | ||
1.一种适用于X射线成像的全光分幅系统,其特征在于:包括短脉冲激光器(1)、光束扩束透镜对、台阶反射镜(7)、前置楔形透镜阵列(8)、X射线发射源(11)、X射线成像器件(10)、超快X射线响应芯片(9)、后置楔形透镜阵列(12)、成像物镜(14)和记录相机(15);
所述台阶反射镜(7)靠近前置楔形透镜阵列(8)的一侧表面凸出形成有若干相互平行的台阶反射面(7a),各台阶反射面(7a)的凸出高度呈等差数列关系;
所述前置楔形透镜阵列(8)由分别与各台阶反射面(7a)一一对应的前置楔形透镜(8a)组成,所述后置楔形透镜阵列(12)由与前置楔形透镜(8a)数量相同的后置楔形透镜(12a)组成,各前置楔形透镜(8a)与各后置楔形透镜(12a)镜像对称地设置在超快X射线响应芯片(9)的法线两侧;
X射线发射源(11)发射的X射线经X射线成像器件(10)成像至超快X射线响应芯片(9)上,并在超快X射线响应芯片(9)上形成X射线源像(93),同时,短脉冲激光器(1)发射的探针光经光束扩束透镜对扩束后由台阶反射镜(7)上的各台阶反射面(7a)分割为时间间隔呈等差数列关系的若干个子光束,各子光束分别经对应的前置楔形透镜(8a)先后依次聚焦在超快X射线响应芯片(9)上的子光束叠加像区域(94),并携带X射线源像(93)信息从超快X射线响应芯片(9)反射至对应的后置楔形透镜(12a),各子光束分别由对应的后置楔形透镜(12a)准直为相互平行的平行光,各平行光均经成像物镜(14)成像至记录相机(15)的记录面上,其中X射线源像(93)位于子光束叠加像区域(94)中,X射线源像(93)的面积小于子光束叠加像区域(94)的面积。
2.根据权利要求1所述的适用于X射线成像的全光分幅系统,其特征在于:所述光束扩束透镜对包括依次设置在短脉冲激光器(1)和台阶反射镜(7)之间的短焦透镜组(2)、可调光阑(3)和长焦透镜组(4),所述可调光阑(3)的小孔大小可调,并位于短焦透镜组(2)和长焦透镜组(4)焦点重合的位置。
3.根据权利要求1所述的适用于X射线成像的全光分幅系统,其特征在于:所述超快X射线响应芯片(9)包括半导体响应介质(91)以及镀在半导体响应介质(91)远离X射线成像器件(10)一侧的探针光反射膜(92),X射线发射源(11)出射的X射线经X射线成像器件(10)射向半导体响应介质(91),并在半导体响应介质(91)中形成载流子区,该载流子区为所述X射线源像(93),所述探针光反射膜(92)用于反射射入半导体响应介质(91)的各子光束。
4.根据权利要求3所述的适用于X射线成像的全光分幅系统,其特征在于:所述半导体响应介质(91)采用CdSe或InGaAsP材料制作而成。
5.根据权利要求1所述的适用于X射线成像的全光分幅系统,其特征在于:所述X射线成像器件(10)或为针孔成像器件,或为针孔成像器件和平面镜。
6.根据权利要求1所述的适用于X射线成像的全光分幅系统,其特征在于:所述光束扩束透镜对和台阶反射镜(7)之间设置有第一转折光路反射镜(5)和第二转折光路反射镜(6),经光束扩束透镜对扩束后的探针光依次经第一转折光路反射镜(5)和第二转折光路反射镜(6)反射后射向台阶反射镜(7)。
7.根据权利要求1所述的适用于X射线成像的全光分幅系统,其特征在于:所述后置楔形透镜阵列(12)和成像物镜(14)之间设置有第三转折光路反射镜(13),各前置楔形透镜(8a)出射的子光束均由第三转折光路反射镜(13)反射后射向成像物镜(14)。
8.根据权利要求1所述的适用于X射线成像的全光分幅系统,其特征在于:所述记录相机(15)为面阵相机。
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