[发明专利]用于5G通信的全屏蔽式陶瓷封装结构及其制备方法在审
申请号: | 202110789793.X | 申请日: | 2021-07-13 |
公开(公告)号: | CN113539985A | 公开(公告)日: | 2021-10-22 |
发明(设计)人: | 梁德益 | 申请(专利权)人: | 梁德益 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L23/552;H01L21/48 |
代理公司: | 厦门市新华专利商标代理有限公司 35203 | 代理人: | 吴成开;徐勋夫 |
地址: | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 通信 屏蔽 陶瓷封装 结构 及其 制备 方法 | ||
本发明公开一种用于5G通信的全屏蔽式陶瓷封装结构及其制备方法,陶瓷封装结构包括有上层陶瓷片、下层陶瓷片以及屏蔽盖板;该上层陶瓷片的上表面一体向上凸设有凸台,该凸台的上表面设置有第一垂直线路,该第一垂直线路贯穿至上层陶瓷片的下表面,上层陶瓷片的上表面电镀成型覆盖有上屏蔽底板和屏蔽围坝。通过设置上层陶瓷配合下层陶瓷片,并配合设置第一垂直线路、水平线路、上屏蔽底板、屏蔽围坝、第二垂直线路、下屏蔽底板以及屏蔽盖板,可对位于容置腔中的元器件进行100%的完全屏蔽,外部信号不会对容置腔中的元器件造成任何干扰,也不会对外部元器件造成电磁干扰,完全满足使用的需要。
技术领域
本发明涉及5G通信领域技术,尤其是指一种用于5G通信的全屏蔽式陶瓷封装结构及其制备方法。
背景技术
第五代移动通信技术(英语:5th Generation Mobile CommunicationTechnology简称5G)是具有高速率、低时延和大连接特点的新一代宽带移动通信技术,是实现人机物互联的网络基础设施。
随着5G半导体元器件的高密度集成化的封装,从而会带来元器件之间的电磁波干扰,影响信号的传输从而造成延时,使得产品的工作性能大打折扣。目前用于封装半导体元器件的陶瓷线路板无法对各个元器件实现100%的完全屏蔽,无法完全满足使用的需要。因此,有必要研究一种方案以解决上述问题。
发明内容
有鉴于此,本发明针对现有技术存在之缺失,其主要目的是提供一种用于5G通信的全屏蔽式陶瓷封装结构及其制备方法,其可对元器件进行100%的完全屏蔽。
为实现上述目的,本发明采用如下之技术方案:
一种用于5G通信的全屏蔽式陶瓷封装结构,包括有上层陶瓷片、下层陶瓷片以及屏蔽盖板;该上层陶瓷片的上表面一体向上凸设有凸台,该凸台的上表面设置有第一垂直线路,该第一垂直线路贯穿至上层陶瓷片的下表面,上层陶瓷片的上表面电镀成型覆盖有上屏蔽底板和屏蔽围坝,该上屏蔽底板位于凸台的外围,该屏蔽围坝位于上屏蔽底板的外围并与上屏蔽底板一体成型连接,屏蔽围板、上屏蔽底板和凸台围构形成开口朝上用于收纳元器件的容置腔,该上层陶瓷片的下表面成型有水平线路,该水平线路的一端与第一垂直线路的下端一体成型连接;该下层陶瓷片贴合固定在上层陶瓷片的下表面并盖住水平线路,下层陶瓷片的上表面设置有第二垂直线路,该第二垂直线路的贯穿至下层陶瓷片的下表面,该第二垂直线路的上端与水平线路的另一端导通连接,下层陶瓷片的下表面电镀成型覆盖有下屏蔽底板,该下屏蔽底板在上下投影方向上完全覆盖住凸台;该屏蔽盖板的周缘与屏蔽围坝的顶部周缘密封固定并封盖住容置腔的开口。
作为一种优选方案,所述上层陶瓷片的下表面凹设有凹槽,该水平线路位于凹槽中,且水平线路的下表面与上层陶瓷片的下表面平齐。
作为一种优选方案,所述第一垂直线路为径向对称设置的两个,对应的,该水平线路和第二垂直线路均为径向对称设置的两个。
作为一种优选方案,所述下屏蔽底板为帽状,该下层陶瓷片的下表面凹设有凹位,该下屏蔽底板位于凹位中,且下屏蔽底板的下表面与下层陶瓷片的下表面平齐。
作为一种优选方案,所述下层陶瓷片通过烧结的方式贴合固定在上层陶瓷片的下表面,水平线路的两端分别与第一垂直线路的下端和第二垂直线路的上端一体成型连接。
作为一种优选方案,所述屏蔽围坝的表面内周缘凹陷形成一台阶面,该屏蔽盖板的周缘抵于台阶面上焊接密封固定。
一种用于5G通信的全屏蔽式陶瓷封装结构的制备方法,包括有以下步骤:
(1)先成型出上层陶瓷片、下层陶瓷片和屏蔽盖板;
(2)在上层陶瓷片上制作成型出第一垂直线路、水平线路、上屏蔽底板和屏蔽围坝,并在下层陶瓷片制作成型出第二垂直线路和下屏蔽底板;
(3)将下层陶瓷片贴合固定在上层陶瓷片的下表面并盖住水平线路,并使得水平线路的两端分别与第一垂直线路的下端和第二垂直线路的上端导通连接;
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