[发明专利]一种铝合金的防腐处理方法有效

专利信息
申请号: 202110791253.5 申请日: 2021-07-13
公开(公告)号: CN113564658B 公开(公告)日: 2022-09-06
发明(设计)人: 王红杰;陈刚;杨晓禹;吴俞;钱坤明;郑子云 申请(专利权)人: 中国兵器科学研究院宁波分院;宁波表面工程研究院有限公司
主分类号: C25D11/04 分类号: C25D11/04;C25D11/06;C25D11/16;C25D11/24
代理公司: 宁波诚源专利事务所有限公司 33102 代理人: 袁忠卫;李洁
地址: 315103 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 铝合金 防腐 处理 方法
【权利要求书】:

1.一种铝合金的防腐处理方法,其特征在于包括如下步骤:

一、预处理,对铝合金试样的表面进行打磨和抛光,至表面无明显划痕,再使用化学法对铝合金试样表面进行除铜处理,然后清洗、干燥备用;

二、微弧氧化处理,将预处理后的铝合金试样浸入电解液中,以铝合金试样为阳极,使用双极性直流脉冲电源进行微弧氧化处理得到具有微弧氧化层的试样,然后将试样进行清洗、干燥;所述双极性直流脉冲电源的正电压为450~600V,负电压为50~300V,频率为400~800Hz,正负电压的占空比为10~30%,微弧氧化时间为15~90min,电解液温度为35~45℃,电解液的pH值为10~12,所述电解液包括如下组分:

主成膜剂:为5~200g/L的硅酸钠;

辅助成膜剂:为2~50g/L的钨酸钠、10~50g/L的氟化钾或氟化钠、1~10g/L的十二烷基硫酸钠;

成膜添加剂:为1~10g/L的三乙醇胺、1~10g/L的甘油;

三、封孔处理,将经微弧氧化处理的试样浸没在装有浓度为70~90%的水溶性封闭剂的反应釜中,抽真空至-0.095MPa,保压20~40min;然后使用水浴法固化封闭剂,固化温度为80~95℃,固化时间为15~50min,最后进行清洗、干燥处理,得到成品试样;

所述步骤二中的微弧氧化处理分为至少三个连续的阶段,分别为第一阶段、第二阶段和第三阶段,在主成膜剂的浓度为50~200g/L,且成膜添加剂为浓度小于5g/L的三乙醇胺、浓度小于5g/L的甘油时,所述第一阶段下的双极性直流脉冲电源的正电压为450~500V,负电压为50~150V,频率为400~800Hz,正负电压的占空比为20%,微弧氧化时间为10~20min,电解液温度为35~45℃;所述第二阶段下的双极性直流脉冲电源的正电压为450~500V,负电压为50~150V,频率为400~800Hz,正负电压的占空比为20%,微弧氧化时间为10~20min,电解液温度为35~45℃;所述第三阶段下的双极性直流脉冲电源的正电压为450~500V,负电压为50~150V,频率为400~800Hz,正负电压的占空比为20%,微弧氧化时间为10~20min,电解液温度为35~45℃;前一阶段氧化结束后,关闭双极性直流脉冲电源,然后再开启双极性直流脉冲电源,进行下一阶段反应;

在主成膜剂的浓度小于50g/L,且成膜添加剂为浓度大于5g/L的三乙醇胺、浓度大于5g/L的甘油时,所述第一阶段下的双极性直流脉冲电源的正电压为550~600V,负电压为150~300V,频率为400~800Hz,正负电压的占空比为10~30%,微弧氧化时间为5~30min,电解液温度为35~45℃;所述第二阶段下的双极性直流脉冲电源的正电压为550~600V,负电压为150~300V,频率为400~800Hz,正负电压的占空比为10~30%,微弧氧化时间为5~30min,电解液温度为35~45℃;所述第三阶段下的双极性直流脉冲电源的正电压为550~600V,负电压为150~300V,频率为400~800Hz,正负电压的占空比为10~30%,微弧氧化时间为5~30min,电解液温度为35~45℃;前一阶段氧化结束后,关闭双极性直流脉冲电源,然后再开启双极性直流脉冲电源,进行下一阶段反应。

2.根据权利要求1所述的防腐处理方法,其特征在于:所述步骤一中依次用100目、400目、800目、1200目砂纸打磨铝合金试样表面。

3.根据权利要求1所述的防腐处理方法,其特征在于:所述步骤一中抛光处理后铝合金试样的表面粗糙度小于0.6μm。

4.根据权利要求1所述的防腐处理方法,其特征在于:所述步骤一中除铜处理的步骤为:首先采用浓硫酸或浓硝酸对铝合金试样表面钝化处理10~60s,然后采用温度为30~50℃、浓度为1~5%的氢氧化钠或氢氧化钾溶液,配合超声波清洗机,对试样表面的钝化层进行5~20min清洗、剥离处理,其中超声波清洗机的超声功率为200~600W,超声频率为40KHz。

5.根据权利要求1所述的防腐处理方法,其特征在于:所述步骤二中微弧氧化层的厚度为20~50μm。

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