[发明专利]垂直腔面发射激光器及其制备方法

权利要求书

1.一种制备垂直腔面发射激光器的方法，其特征在于，

所述垂直腔面发射激光器包括：

衬底；

P型过渡层，所述P型过渡层形成在所述衬底的至少部分表面；

第一布拉格反射镜，所述第一布拉格反射镜形成在所述P型过渡层远离所述衬底的至少部分表面，所述第一布拉格反射镜为P型掺杂；

多重量子阱层，所述多重量子阱层形成在所述第一布拉格反射镜远离所述P型过渡层的至少部分表面；

第二布拉格反射镜，所述第二布拉格反射镜形成在所述多重量子阱层远离所述第一布拉格反射镜的至少部分表面；所述第二布拉格反射镜包括下层区、中心区和外围区，其中，所述下层区和所述中心区为N型掺杂，所述外围区为P型掺杂；

负电极，所述负电极设在所述第二布拉格反射镜的上表面，且位于所述中心区和所述外围区的连接处；

所述方法包括：

提供衬底，在所述衬底上依次形成P型过渡层、第一布拉格反射镜、多重量子阱层和N型掺杂的第二布拉格反射镜；

在所述第二布拉格反射镜的上表面放置掩膜版；

由上至下对所述第二布拉格反射镜进行P型杂质扩散，以便将所述第二布拉格反射镜的外围区从N型转化为P型；或者，由上至下对所述第二布拉格反射镜进行直接刻蚀，然后在刻蚀区域，形成P型布拉格反射镜；

移除所述掩膜版，在所述第二布拉格反射镜上表面的中心区和外围区的连接处通过芯片工艺形成负电极。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述衬底为导电衬底，所述衬底为掺杂的GaAs。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述垂直腔面发射激光器进一步包括：正电极，所述正电极设在所述衬底上。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述衬底为半绝缘衬底。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述垂直腔面发射激光器进一步包括：正电极，所述正电极设在所述P型过渡层上。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述P型过渡层由GaAs材料形成。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的下层区、中心区和外围区的光程厚度为λ/2的正整数倍，λ为所述垂直腔面发射激光器的波长。

8.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述衬底为导电衬底，所述方法进一步包括：通过刻蚀工艺刻蚀至衬底层，然后通过芯片工艺形成正电极。

9.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述衬底为半绝缘衬底，所述方法进一步包括：通过刻蚀工艺刻蚀至P型过渡层，然后通过芯片工艺形成正电极。

10.一种制备垂直腔面发射激光器的方法，其特征在于，

所述垂直腔面发射激光器包括：

衬底；

P型过渡层，所述P型过渡层形成在所述衬底的至少部分表面；

第一布拉格反射镜，所述第一布拉格反射镜形成在所述P型过渡层远离所述衬底的至少部分表面，所述第一布拉格反射镜为P型掺杂；

多重量子阱层，所述多重量子阱层形成在所述第一布拉格反射镜远离所述P型过渡层的至少部分表面；

第二布拉格反射镜，所述第二布拉格反射镜形成在所述多重量子阱层远离所述第一布拉格反射镜的至少部分表面；所述第二布拉格反射镜包括下层区、中心区和外围区，其中，所述下层区和所述中心区为N型掺杂，所述外围区为P型掺杂；

负电极，所述负电极设在所述第二布拉格反射镜的上表面，且位于所述中心区和所述外围区的连接处；

所述方法包括：

提供衬底，在所述衬底上依次形成N型掺杂的第二布拉格反射镜、多重量子阱层、第一布拉格反射镜和P型过渡层，得到样品；

移除所述衬底并将所述样品倒置，在所述P型过渡层的下表面形成正电极；

在所述第二布拉格反射镜的上表面放置掩膜版；

由上至下对所述第二布拉格反射镜进行P型杂质扩散，以便将所述第二布拉格反射镜的外围区从N型转化为P型；或者，由上至下对所述第二布拉格反射镜进行直接刻蚀，然后在刻蚀区域，形成P型布拉格反射镜；

移除所述掩膜版，在所述第二布拉格反射镜上表面的中心区和外围区的连接处通过芯片工艺形成负电极。