[发明专利]一种励磁系统整流桥晶闸管导通特性异常定位方法有效
申请号: | 202110794378.3 | 申请日: | 2021-07-14 |
公开(公告)号: | CN113514750B | 公开(公告)日: | 2023-10-20 |
发明(设计)人: | 李雅琪;沈洪波;赵伟程;栗占伟;郑豫生;黄卫华;刘园园;赵增林 | 申请(专利权)人: | 中国大唐集团科学技术研究院有限公司中南电力试验研究院;大唐河南发电有限公司;大唐三门峡电力有限责任公司 |
主分类号: | G01R31/26 | 分类号: | G01R31/26 |
代理公司: | 郑州中鼎万策专利代理事务所(普通合伙) 41179 | 代理人: | 林新园 |
地址: | 450000 河南省郑州市自贸试验区*** | 国省代码: | 河南;41 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 系统 整流 晶闸管 特性 异常 定位 方法 | ||
1.一种励磁系统整流桥晶闸管导通特性异常定位方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤一:均流异常分支判断
分别计算励磁系统整流柜输出正、负极均流系数,当正、负极均流系数偏差大于阈值M时,判断异常晶闸管位于均流系数较低的直流母排侧
步骤二:异常整流桥位置判断
对各整流桥正、负极电流绝对值进行比较,偏差极值所在的整流桥即为异常晶闸管所在整流桥,结合步骤一判断的异常晶闸管所在的直流母排侧,即可得到异常晶闸管所在的位置,作为第一异常位置;
步骤三:晶闸管导通顺序确认
任取交流侧一组线电压波形为基准,与步骤二确定的异常晶闸管所在整流桥输出的电压波形进行比较,确定各导通周期对应晶闸管导通顺序;
晶闸管导通顺序确认原则为:
同步发电机励磁系统各并联整流桥采用三相可控整流电路,其中晶闸管VT1、VT3、VT5以共阴极接法组合作为正极输出,晶闸管VT4、VT6、VT2以共阴极接法组合作为正极输出,三相可控整流电路的任一导通周期内正、负极均有一个晶闸管同时导通,从而形成供电回路,在一个工频周期内,Uab→Uac→Ubc→Uba→Uca→Ucb依次达到极值,对应晶闸管依次导通:VT1/VT6→VT1/VT2→VT2/VT3→VT3/VT4→VT4/VT5→VT5/VT6,并以此顺序循环往复,取任一导通周期,该周期内整流桥输出电压波形仅与Uab、Uac、Ubc、Uba、Uca、Ucb中唯一一组线电压呈重合特征,且对应唯一一组晶闸管处于导通状态,以此为基准即可推导出各导通周期晶闸管导通顺序;
步骤四:异常晶闸管导通周期确认
对各导通周期正、负极输出电流进行比较,绝对值偏差大于基值阈值的导通周期即为异常晶闸管导通周期;
所述基值阈值=X×基值;
其中:X为阈值系数,取值为5.3%-14.9%;
所述基值的取值为:取步骤一中均流系数较高的直流母线侧在各导通周期内输出的电流平均值为基值;
通过确认的异常晶闸管导通周期,结合步骤三确认的各导通周期对应晶闸管导通顺序,即可确认异常晶闸管导通周期内对应的晶闸管导通顺序,该对应晶闸管导通顺序中的晶闸管即为异常晶闸管所在位置,作为第二异常位置;
步骤五:异常晶闸管所在位置确认
结合步骤二得到的第一异常位置与步骤四得到的第二异常位置,选取二者的共同部分,即可完成异常晶闸管的准确定位。
2.根据权利要求1所述的励磁系统整流桥晶闸管导通特性异常定位方法,其特征在于,
当机组为300MW火电机组且励磁系统为3个整流柜并联时,所述阈值M的取值为3.3%-8.7%;
当机组为600MW火电机组且励磁系统为5个整流柜并联时,所述阈值M的取值为4.0%-10.4%。
3.根据权利要求1或2所述的励磁系统整流桥晶闸管导通特性异常定位方法,其特征在于,所述步骤一负极均流系数偏差的阈值M=5%。
4.根据权利要求1所述的励磁系统整流桥晶闸管导通特性异常定位方法,其特征在于,所述步骤四阈值系数X=10%。
5.根据权利要求1所述的励磁系统整流桥晶闸管导通特性异常定位方法,其特征在于,所述晶闸管为ABB晶闸管,型号为5STP 24H2800或5STP 18H4200。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国大唐集团科学技术研究院有限公司中南电力试验研究院;大唐河南发电有限公司;大唐三门峡电力有限责任公司,未经中国大唐集团科学技术研究院有限公司中南电力试验研究院;大唐河南发电有限公司;大唐三门峡电力有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110794378.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:PRUNE1基因检测在多发性骨髓瘤患者预后中的应用
- 下一篇:膜式氧合器