[发明专利]一种高纯度三甲基锑的制备方法及其应用

权利要求书

1.一种高纯度三甲基锑的制备方法，其特征在于，反应方程通式为：

3Al(CH₃)₃+SbX₃→Sb(CH₃)₃+3(CH₃)₂AlX

其中，X为Cl、Br或I；所述高纯度为纯度高于99.9999％。

2.根据权利要求1所述的一种高纯度三甲基锑的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：

(1)在惰性气氛下，将三甲基铝滴加至卤化锑中，滴加结束后，继续反应；

(2)反应结束后，通过减压蒸馏分离粗产品和副产物；

(3)将步骤(2)得到的粗产品通过常压精馏收集馏分，得到所述高纯度三甲基锑。

3.根据权利要求2所述的一种高纯度三甲基锑的制备方法，其特征在于，所述三甲基铝与卤化锑的摩尔比为3-7:1。

4.根据权利要求2所述的一种高纯度三甲基锑的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，滴加时的反应的温度为40-70℃。

5.根据权利要求2所述的一种高纯度三甲基锑的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述继续反应的温度为50-80℃。

6.根据权利要求2所述的一种高纯度三甲基锑的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述继续反应的时间为6-12h。

7.根据权利要求2所述的一种高纯度三甲基锑的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，所述减压蒸馏的压强为50-80KPa。

8.根据权利要求2所述的一种高纯度三甲基锑的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，所述减压蒸馏的温度为50-70℃。

9.根据权利要求2所述的一种高纯度三甲基锑的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，所述常压精馏收集的馏分为79-82℃的馏分。

10.一种高纯度三甲基锑作为MO源在MOCVD工艺中的应用，其特征在于，所述高纯度三甲基锑的纯度高于99.9999％。