[发明专利]一种具有抗静电能力的外延片及其在发光二极管中的应用

权利要求书

1.一种具有抗静电能力的外延片，包括衬底（1）以及依次沉积在所述衬底（1）上的缓冲层（2）、N型掺杂GaN层（4）、电子缓冲层（5）、应力释放层（6）、多量子阱层（7）、电子阻挡层（8）和P型GaN层（9），其中，所述应力释放层（6）为InGaN子层（61）与GaN子层（62）交替生长的周期性结构；其特征在于，在所述周期性结构中，所述InGaN子层（61）的厚度为1～2nm，所述GaN子层（62）的厚度是InGaN子层（61）厚度的23~30倍，所述GaN子层（62）的厚度范围为46~60nm；在所述应力释放层（6）和所述多量子阱层（7）中具有密度为6×10⁸cm^-2 ~ 8×10⁸cm^-2的V型缺陷。

2.根据权利要求1所述的具有抗静电能力的外延片，其特征在于，所述V型缺陷起始于所述应力释放层（6），并从所述应力释放层（6）向所述多量子阱层（7）方向延伸。

3.根据权利要求1所述的具有抗静电能力的外延片，其特征在于，所述V型缺陷是倒六面锥形，即俯视为类六边形，侧视剖视为类V型结构。

4.根据权利要求3所述的具有抗静电能力的外延片，其特征在于，定义所述V型缺陷开口的中心点至所述类六边形顶点的距离为V型缺陷的开口半径r，所述V型缺陷的开口直径d为0.2μm~0.5μm，深度h为0.1μm~0.3μm。

5.根据权利要求3所述的具有抗静电能力的外延片，其特征在于，定义所述类V型结构的底角α为V型缺陷的开口角度，所述开口角度为55°~75°。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的具有抗静电能力的外延片，其特征在于，在所述缓冲层（2）与所述N型掺杂GaN层（4）之间，还设有非掺杂GaN层（3）；

所述电子缓冲层（5）为N型AlGaN电子缓冲层。

7.根据权利要求1至5中任一项所述的具有抗静电能力的外延片，其特征在于，所述GaN子层（62）的厚度范围为50nm~55nm。

8.根据权利要求1至5中任一项所述的具有抗静电能力的外延片，其特征在于，所述周期性结构的周期为3~4。

9.根据权利要求1至5中任一项所述的具有抗静电能力的外延片，其特征在于，所述衬底（1）为蓝宝石衬底、蓝宝石与二氧化硅复合基衬底、硅基衬底或氮化镓基衬底。

10.一种如权利要求1至9中任一项所述的具有抗静电能力的外延片在发光二极管中的应用。