[发明专利]一种同质种子层调控氧化铪基铁电薄膜电学性能的方法在审
申请号: | 202110797458.4 | 申请日: | 2021-07-14 |
公开(公告)号: | CN113539812A | 公开(公告)日: | 2021-10-22 |
发明(设计)人: | 姜杰;张彪;姜楠;欧阳阔 | 申请(专利权)人: | 湘潭大学 |
主分类号: | H01L21/288 | 分类号: | H01L21/288;H01L21/28 |
代理公司: | 北京中政联科专利代理事务所(普通合伙) 11489 | 代理人: | 陈超 |
地址: | 411100 湖*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 同质 种子 调控 氧化 铪基铁电 薄膜 电学 性能 方法 | ||
1.一种同质种子层调控氧化铪基铁电薄膜电学性能的方法,其特征在于,所述方法包括:
制备氧化铪基种子层前驱体溶液;
制备铁电薄膜的薄膜前驱体溶液;
用所述种子层前驱体溶液制得氧化铪基种子层;
在所述氧化铪基种子层上旋涂所述薄膜前驱体溶液,对所述薄膜前驱体溶液进行热处理后得到氧化铪基铁电薄膜。
2.根据权利要求1所述方法,其特征在于,所述用所述种子层前驱体溶液制得氧化铪基种子层包括:
在有电极的基板上旋涂所述种子层前驱体溶液,生成第一薄湿膜;
对制得的所述第一薄湿膜进行干燥、热解、退火处理,得到所述氧化铪基种子层。
3.根据权利要求1所述方法,其特征在于,所述在所述氧化铪基种子层上旋涂所述薄膜前驱体溶液,对所述薄膜前驱体溶液进行热处理后得到氧化铪基铁电薄膜包括:
步骤一,在所述氧化铪基种子层上旋涂所述薄膜前驱体溶液,得到第二湿膜;
步骤二,对制得的所述第二湿膜进行干燥、热解处理;
步骤三,重复步骤一和二3-5次后,对所述第二湿膜进行退火处理得到氧化铪基铁电薄膜。
4.根据权利要求1所述方法,其特征在于,所述种子层前驱体溶液的浓度范围为0.001-0.03mol/L。
5.根据权利要求1所述方法,其特征在于,所述方法还包括:
采用溶胶凝胶法分别制备萤石型结构氧化铪基种子层前驱体溶液和所述铁电薄膜的薄膜前驱体溶液。
6.根据权利要求1所述方法,其特征在于,所述制备氧化铪基种子层前驱体溶液还包括:
按照氧化铪基种子层中的正负离子化学计量摩尔比,分别计算出多种种子层前驱体溶液所需的乙酰苯酮铪和乙酸的质量;
将每种种子层前驱体溶液所需的乙酰苯酮铪和乙酸混合,分别得到多种澄清的溶液,将所述多种澄清的溶液分别放在磁力搅拌器上搅拌;
分别在所述多种澄清的溶液中加入掺杂元素的盐和乙酰苯酮,水浴加热再放在所述磁力搅拌机上均匀搅拌,静置后进行定容稀释得到多种不同浓度的种子层前驱体溶液。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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