[发明专利]一种高熵陶瓷基复合材料及其制备方法

权利要求书

1.一种高熵陶瓷基复合材料的制备方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

(1)配制包含(Ti_x1Zr_x2Hf_x3Nb_x4Ta_x5)C高熵陶瓷粉体和酚醛树脂的高熵陶瓷料浆；所述高熵陶瓷料浆中含有的(Ti_x1Zr_x2Hf_x3Nb_x4Ta_x5)C高熵陶瓷粉体的质量百分含量为5％～20％；所述(Ti_x1Zr_x2Hf_x3Nb_x4Ta_x5)C高熵陶瓷粉体为由Ti、Zr、Hf、Nb、Ta和C元素组成的单相共溶体；其中，x1+x2+x3+x4+x5＝1，且x1、x2、x3、x4、x5的数值在15％～25％之间；所述酚醛树脂为在800℃高温处理后的残碳率大于20％的高残碳酚醛树脂；

(2)利用所述高熵陶瓷料浆浸渍多孔碳/碳坯体，然后依次进行固化和高温裂解的步骤，得到高熵陶瓷基复合材料中间体；所述浸渍为在500Pa以下的真空条件下浸渍5～10h；

(3)将步骤(2)得到的高熵陶瓷基复合材料中间体中进行液硅熔渗反应，制得高熵陶瓷基复合材料；所述高熵陶瓷基复合材料的基体由(Ti_x1Zr_x2Hf_x3Nb_x4Ta_x5)C和SiC组成，在所述基体中，所述(Ti_x1Zr_x2Hf_x3Nb_x4Ta_x5)C的质量百分含量为10％～50％。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：

所述多孔碳/碳坯体的密度为1.0～1.5g/cm³。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：

所述固化的温度为150～250℃，所述固化的压力为1～3MPa，所述固化的时间为2～10h。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：

所述高温裂解的温度为700～1000℃，所述高温裂解的时间为2～5h。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：

所述液硅熔渗反应的温度为1350～1800℃，所述液硅熔渗反应的时间为1～3h，所述液硅熔渗反应的压力小于50Pa。

6.由权利要求1至5中任一项所述的制备方法制得的高熵陶瓷基复合材料。