[发明专利]一种近红外宽光谱荧光材料及其制备方法与应用

权利要求书

1.一种近红外宽光谱荧光材料，其特征在于，具有式(Ⅰ)所示化学式；(M¹_1-mCr_m)M²O₄式(Ⅰ)；

其中，M¹选自Ga、Sc，且必需包含Ga；M²元素为Ta；其中，当M¹选自Ga时，m＝0.002，其化学式为Ga_0.998Cr_0.002TaO₄，当M¹选自Ga和Sc的结合时，m＝0.02，其化学式为Ga_0.6Sc_0.38Cr_0.02TaO₄。

2.一种根据权利要求1所述的近红外宽光谱荧光材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

将含M¹化合物、含M²化合物和含Cr化合物研细后进行混合，在空气中1450℃或1400℃进行烧结，得到近红外宽光谱荧光材料，其分子式为(M¹_1-mCr_m)M²O₄。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述烧结进行，所述烧结的时间为10～12h。

4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述含M¹化合物选自氧化镓、硝酸镓、氧化钪、硝酸钪中的一种或两种以上；所述含M²化合物为氧化钽；所述Cr化合物为氧化铬或硝酸铬。

5.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述烧结后，还包括：对烧结后的产物进行破碎和研细处理。

6.权利要求1所述的近红外宽光谱荧光材料在宽光谱近红外LED器件中的应用。